公开(公告)号：CN103764882A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042553.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  角谷均

IPC: C30B29/04 ,  C01B31/06

CPC classification number: C30B29/04 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/068 ,  C30B7/10 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍；并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。在真空室中，经过脱氮处理的烃类气体（例如）在1200℃至2300℃（包括端值）的温度下在基底上热分解，从而制得碳原料（S2）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。

公开(公告)号：CN103732535A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280037414.0

申请日：2012-07-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C01B31/06

CPC classification number: C01B32/25 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655

Abstract: 本发明涉及一种纳米多晶金刚石(1)，其包括碳和多种非碳杂质。每一种所述杂质的浓度均等于或小于0.01质量%，并且该纳米多晶金刚石(1)的晶粒尺寸（最大长度）至多为500nm。该纳米多晶金刚石(1)可以由以下方法制造：制备杂质浓度至多为0.01质量%的石墨，然后使该石墨经受高温和极高的压力，从而将所述石墨转化为金刚石。

公开(公告)号：CN100409408C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200380100646.7

申请日：2003-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  山本喜之 ,  角谷均 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01L21/265 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明制备n-型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用LI和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n-型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。