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公开(公告)号：CN111592351A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010473493.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B38/06 , C04B38/00 , B28B11/24 , H02N11/00
Abstract: 本发明公开了一种热释电材料的应用，将热释电材料用于热能收集，利用温度变化将热能转化为电能，所述热释电材料为多孔锆钙钛酸钡陶瓷材料；所述温度变化≥1℃；所述多孔锆钙钛酸钡陶瓷材料的孔隙率为10％～60％。本发明首创的将多孔锆钙钛酸钡陶瓷材料应用于热能收集，发明人发现，多孔锆钙钛酸钡可作为热释电材料，其工作原理为当环境温度发生变化，热释电材料由于热释电效应，使材料的上下表面产生电压，将热能转换为电能，本发明中将多孔锆钙钛酸钡作为热释电材料用于热能收集，其热能转化为电能的条件为温度波动≥1℃，即只需有1℃的温度波动，即能实现热能收集，热能收集的效率相对于现有技术的热电材料大幅提升。
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公开(公告)号：CN111521657A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010390546.8
申请日：2020-05-11
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23F1/28 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔硼掺杂金刚石电极的多巴胺生物传感器及其制备方法和应用，所述多巴胺生物传感器，包括工作电极、对电极和参比电极，所述工作电极的基底电极为多孔硼掺杂金刚石电极，所述多孔硼掺杂金刚石电极表面修饰有纳米碳黑颗粒和萘芬膜。本发明中多孔硼掺杂金刚石电极具有高比表面积，可以增加传感器的响应电流，而所修饰的纳米碳黑颗粒和萘芬膜作为电极的保护膜和功能性隔层，碳黑颗粒可以将干扰物的氧化电位提前，减少信号干扰，萘芬同时扮演了抑制干扰物和稳定碳黑颗粒的作用。
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公开(公告)号：CN109676127B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910094134.7
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种高性能TiN基金属陶瓷及其制备方法。该方法包括以下步骤：将TiN粉末与WO3粉末混合均匀，然后放入氢气炉中，通入水氢气，升温后进行反应，得到W包覆TiN复合粉末；将该复合粉末和碳粉混合均匀，然后放入真空炉中进行碳化，得到WC包覆TiN复合粉末；将WC包覆TiN复合粉末、金属添加剂和成型剂混合均匀后，再依次过筛、压制成坯、脱脂、烧结，得到TiN基金属陶瓷。采用该方法制得的TiN基金属陶瓷具有致密度高、硬度高、抗弯性能优异、断裂韧性良好、摩擦系数低、耐磨性良好、抗氧化和抗腐蚀性能优异的特点，拥有十分广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN108060325B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201711352543.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 中南大学 , 中色奥博特铜铝业有限公司
Abstract: 一种超高强CuNiSn系弹性铜合金的多级组合形变热处理制备方法，包括：铸件依次进行两级均匀化处理、热轧、固溶、预时效、一次冷轧、一次时效、二次冷轧、二次时效；所述预时效工艺参数为：350‑380℃时效30‑60分钟。本发明合金的多级组合形变热处理工艺，能够有效避免合金时效过程中发生胞状析出，调控CuNiSn系合金的析出相的分布，显著提高合金的耐蚀、耐磨性能，并能提高电导率和强塑积(强度和塑性的乘积)。本发明的热处理工艺所制备的CuNiSn系弹性铜合金具有超高强度、高抗应力松弛等特性、安全可靠性大，可适用于航天、航空、航海以及电子工业对高性能导电弹性材料的需求。
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公开(公告)号：CN110079793A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910350579.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种Fe-B改性增强Cu/C复合材料的制备方法，包括以下步骤：对碳材料依次进行除油、粗化、敏化、活化；将活化后的碳材料加入Fe-B镀液中，用碱液调节pH值，然后缓慢加入还原剂A，搅拌待澄清后用去离子水清洗至中性，经干燥后得到Fe-B包覆碳材料，将其加入铜镀液中，用碱液调节pH值，然后缓慢加入还原剂B，搅拌待澄清后用去离子水清洗至中性，经干燥后得到前驱体材料；将前驱体材料进行烧结，得到Fe-B改性增强Cu/C复合材料。本发明还提供了一种由该方法制得的Fe-B改性增强Cu/C复合材料，该复合材料具有连续、互通的网络结构，且碳材料分布均匀，具有较高的致密度和优异的导电性能、力学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109676127A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910094134.7
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种高性能TiN基金属陶瓷及其制备方法。该方法包括以下步骤：将TiN粉末与WO3粉末混合均匀，然后放入氢气炉中，通入水氢气，升温后进行反应，得到W包覆TiN复合粉末；将该复合粉末和碳粉混合均匀，然后放入真空炉中进行碳化，得到WC包覆TiN复合粉末；将WC包覆TiN复合粉末、金属添加剂和成型剂混合均匀后，再依次过筛、压制成坯、脱脂、烧结，得到TiN基金属陶瓷。采用该方法制得的TiN基金属陶瓷具有致密度高、硬度高、抗弯性能优异、断裂韧性良好、摩擦系数低、耐磨性良好、抗氧化和抗腐蚀性能优异的特点，拥有十分广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN109534816A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710856381.7
申请日：2017-09-21
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00
Abstract: 本发明属于多孔陶瓷范围，具体涉及一种高强度有序多孔碳化硅陶瓷的制备方法。本发明以聚碳硅烷为陶瓷先驱体、以莰烯为有机溶剂、以二乙烯基苯为交联剂，按二乙烯基苯的用量为所用聚碳硅烷质量的5％-120％；配取聚碳硅烷、莰烯、二乙烯基苯，然后将聚碳硅烷、二乙烯基苯加入莰烯中，直至聚碳硅烷完全溶于莰烯中，搅拌混合均匀，得到待交联的有机浆料。然后通过交联、定向冷冻浇注、真空脱除溶剂、裂解处理，得到强度最高可18.7MPa的多孔陶瓷产品。本发明有机浆料组份设计合理、制备工艺简单可控，便于大规模的工业化应用。同时所得产品强度高，且能实现表面自然开孔，这为后期进一步改性和加工奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106751242B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201611047103.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷/聚合物复合材料，由表面原位修饰有刚性聚合物的陶瓷和聚合物基体复合而成。所述表面原位修饰为通过陶瓷表面官能化、链转移、单体聚合步骤在陶瓷的表面原位聚合形成刚性聚合物。此外，本发明还提供了所述的陶瓷/聚合物复合材料的制备方法和应用。本发明中，通过表面原位修饰有所述聚合物，可实现不增加复合中无机填料含量条件下提高介电复合材料介电常数；且所述的修饰层可精准调控，可有效克服陶瓷和有机高分子材料相容性不好和混合不均匀的等问题，为研究介电复合材料中界面效应提供了量化的科学基础。
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公开(公告)号：CN106637110B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610910439.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗；(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上，通过磁控溅射在基片上沉积锇膜线；(3)取出锇膜线掩膜板并将经清洗后的电极掩膜板盖在沉积有锇膜线的基片上，通过磁控溅射在锇膜线的两端沉积铜膜或金膜；(4)对沉积有锇膜线并且沉积有铜膜或金膜的基片在真空条件下进行低温热处理，然后随炉冷却，即得芯片。该制备方法工艺简单，通过该方法制备得到的芯片中锇膜表面平整无微裂纹且厚度较大。
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