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公开(公告)号：CN109962170A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711435544.0
申请日：2017-12-26
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子点与高分子材料，利用高分子材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离，从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭，达到薄膜中量子点发光量子产率的提升。利用这种具有高发光量子产率的薄膜到QLED器件中，就能实现高效率的QLED器件。
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公开(公告)号：CN109694705A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711000325.X
申请日：2017-10-24
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明属于纳米发光材料技术领域，具体涉及一种粒子及其制备方法。该粒子包括量子点核和与所述量子点核表面结合的硫醇配体，所述量子点核为单核量子点核、核壳量子点核和合金量子点核中的一种，组成所述量子点核的非金属元素为VI族元素；其中，所述单核量子点核的表面不含S，所述核壳量子点核的外壳不含S，所述合金量子点核含有Se和/或Te；所述量子点核表面的金属原子与所述硫醇配体中的硫原子以离子键的形式结合，在量子点核表面形成壳层。本发明提供的上述粒子不仅具有很好的光热稳定性，同时会进一步增强量子点的荧光强度。
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公开(公告)号：CN106206885B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201610863081.7
申请日：2016-09-29
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种全无机QLED及其制备方法，包括衬底、沉积于衬底上的N型半导体、分别沉积于N型半导体两侧台阶上的量子点和N型电极、依次沉积于量子点上的P型半导体和P型电极；所述N型半导体为n‑GeAs、n‑GeSb、n‑SiAs、n‑SiSb中的一种；所述P型半导体为p‑GeAs、p‑GeSb、p‑SiAs、p‑SiSb中的一种。利用本发明上述半导体材料作为QLED器件的电子和空穴传输层相比基于含氮镓类的半导体结构材料电子迁移率更高，电荷传输率更高，进而有效的提高电子空穴的复合率；并且利用此器件结构来制备全无机QLED不仅制备方法简单，而且可以有效改善器件的寿命。
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公开(公告)号：CN109256495A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710575807.1
申请日：2017-07-14
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种卤素钝化钙钛矿量子点及其制备方法和QLED器件，其中，制备方法包括步骤：将具有去质子化作用的配体加入无机钙钛矿量子点溶液中，进行配体交换反应，得到第一次配体交换后的无机钙钛矿量子点溶液；再将极性有机卤化物加入所述第一次配体交换后的无机钙钛矿量子点溶液中对所述无机钙钛矿量子点表面进行卤素钝化，离心得到卤素钝化的无机钙钛矿量子点。通过本发明能够实现对无机钙钛矿量子点表面的金属和非金属元素进行有效钝化，减少了其表面缺陷，从而提高了无机钙钛矿量子点的荧光强度以及电荷传输效率。
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公开(公告)号：CN108975681A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710399103.3
申请日：2017-05-31
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种耐高温量子点材料及其制备方法。本发明耐高温量子点材料的制备方法包括以下步骤有：配制量子点的原料混合物、将原料混合物熔融成玻璃液、将熔融玻璃液定型冷却、将玻璃体切片和将纳米玻璃片退火处理等步骤。本发明耐高温量子点材料及其制备方法通过将量子点原料与玻璃原料一起经过熔融和退火处理，使得制备的量子点材料具有耐高温特性，在高温状态下其荧光特性不会被淬灭，荧光稳定性好，荧光寿命长；而且制备方法工艺条件易控，有效保证了制备的量子点材料性能稳定，而且效率高，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106384765A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610953344.3
申请日：2016-11-03
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述量子点发光层的材料含有量子点与无定型绝缘化合物。本发明是将含有量子点的无定型绝缘化合物的溶液旋涂成膜来制备量子点发光层，以此来减弱量子点发光层所处的电场强度，在减少电子和空穴注入势垒的同时提高了电子空穴的复合几率，进而有效的提高QLED器件的效率与寿命。
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公开(公告)号：CN106244139A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610616515.3
申请日：2016-07-29
申请人： TCL集团股份有限公司
CPC分类号： C09K11/565 , C09K11/883
摘要： 本发明提供了一种规模化制备合金量子点核的方法，包括以下步骤：提供至少一种阳离子前驱体、至少一种阴离子前驱体、非共融溶剂和淬灭剂；将所述非共融溶剂置于容器中，常温排气处理，加热至120-170℃后进行抽真空处理，然后升温至150-310℃并恒温维持，将各所述阳离子前驱体、阴离子前驱体分别采用微量注入的方式注入到所述容器中形成反应体系，其中，以所述容器的总体积为V计，各所述阳离子前驱体的注入速率为0.001-1V/h、各所述阴离子前驱体的注入速率为0.001-1V/h；待反应完成后，将上述反应体系加入到淬灭剂中，清洗后获得合金量子点核。
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公开(公告)号：CN112745826A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911043479.6
申请日：2019-10-30
申请人： TCL集团股份有限公司
发明人： 程陆玲
摘要： 本发明提供了一种金属氧化物纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：提供分子式为X‑(SO2)‑Y的有机试剂和金属氧化物纳米颗粒样品，所述金属氧化物纳米颗粒样品为水相金属氧化物纳米颗粒；X‑(SO2)‑Y中，X中含有极性官能团；将所述有机试剂和所述金属氧化物纳米颗粒样品在液相介质中混合处理并加入碱性试剂，制备得到所述金属氧化物纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN112542555A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910894860.7
申请日：2019-09-20
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种复合物及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层、电子传输层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，所述电子传输层设置在所述量子点发光层与所述阴极之间，其中，所述电子传输层包括卟啉化合物有机分子和金属氧化物纳米颗粒。本发明利用卟啉化合物有机分子与金属氧化物纳米颗粒形成固态膜后，能够有效改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的电荷传输性能，从而增强量子点发光二极管的器件效率和寿命。
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