公开(公告)号：CN103714631A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310731618.0

申请日：2013-12-26

Applicant: 苏州清研微视电子科技有限公司 ,  清华大学苏州汽车研究院(吴江)

Inventor： 张伟 ,  成波

IPC: G07F19/00 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于人脸识别的ATM取款机智能监控系统，其特征在于所述系统包括设置在ATM取款机附近的视频采集装置视频采集装置、图像处理装置、银行卡感知装置和预警装置，所述银行卡感知装置用于感知银行卡的插入状态或拔出状态，并将银行卡的状态信息发送给图像处理装置；所述视频采集装置视频采集装置用于实时采集ATM取款人的面部图像，并将采集到的面部图像传输给图像处理装置；所述图像处理装置用于对采集到的面部图像进行面部识别获取取款人的面部特征，并根据取款人的面部特征和面部图像判断取款人的状态或者取款人是否变更；当取款人发生变更或者取款人的状态异常时，向预警装置发送预警指令；所述预警装置用于根据图像处理装置的预警指令向取款人或银行管理人员发送预警提示。该系统可以实现快速动态人脸信息采集与识别，并进行人脸跟踪，提供实时监控。

公开(公告)号：CN103551731A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310495854.7

申请日：2013-10-21

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 ,  清华大学

Inventor： 周伟 ,  严利人 ,  刘志弘 ,  刘荣华 ,  王全 ,  张伟

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064

CPC classification number: B23K26/06 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明的一种可旋转匀化器，包括：匀化部件，用于均匀化激光束；旋转装置，具有旋转套筒和内部空腔；其中，匀化部件的边缘外侧通过固定装置固定在内部空腔中；旋转套筒，构成内部空腔的腔体，用于带动匀化部件进行旋转；传动部件，设置于旋转装置上，且连接有驱动装置，在驱动装置的带动下使传动部件进行旋转，进而带动旋转装置进行旋转；固定支座，用于将所述旋转装置固定在光路板上。本发明的激光应用光路和激光退火设备，采用上述可旋转匀化器，避免激光束产生的毛刺长时间固定作用于匀化器的某一位置造成匀化器的损坏，延长了其使用寿命和降低了使用成本。

公开(公告)号：CN103035685A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210535456.9

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品BC结电容大的缺陷而设计。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管包括集电区、本征基区、埋氧层、发射极、侧墙、硅层，以及外基区。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管在外基区下加入埋氧层，降低了BC结电容，提高了器件性能。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法实现了本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103020594A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210505976.5

申请日：2012-12-03

Applicant: 清华大学苏州汽车研究院(吴江)

Inventor： 成波 ,  张伟

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明公开了一种通过对眼睛运动特征进行在线学习来消除驾驶人个体差异性的实现疲劳状态检测的方法。其方法包括以下步骤：通过摄像头获取驾驶人的视频图像，根据视频图像检测驾驶人的脸部并进行处理得到驾驶人眼睛动作特征；将驾驶人眼睛动作特征与驾驶人清醒情况下的数据进行比较，如果超出阈值则为驾驶人处于疲劳驾驶，如果没有超出阈值时，在此期间内对驾驶人的眼睛动作特征进行在线学习，并根据在线学习得到信息继续进行比较直到停止；根据本发明实施例的方法，通过对驾驶人眼睛部位的特征检测，以及对驾驶人特征的学习识别驾驶人是否处于疲劳驾驶状态，提前预防发生意外的风险，从而提高了驾驶人的行车安全。

公开(公告)号：CN103000680A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210551538.2

申请日：2012-12-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、集电极、外基区多晶硅引出部、发射极多晶硅引出部、基极、以及发射极。在集电极与基极之间、或发射极与基极之间设置由导电材料制成的导电屏蔽层。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低器件的输出输入电容，屏蔽输出端与输入端之间的反馈电容，改善晶体管高频性能，减小晶体管放大器的振荡和传输延迟，提高电路速度，适用于硅或锗硅异质结双极晶体管。

公开(公告)号：CN102693293A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210151069.5

申请日：2012-05-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 邓俊辉 ,  袁国栋 ,  张伟

IPC: G06F17/30

Abstract: 本发明提出一种多变量时空数据的范围查询方法及系统，其中，方法包括：载入并打开netCDF格式的多变量时空数据文件；读取多变量时空数据文件中各个多变量的格点数据并根据多变量的空间范围对格点数据进行预处理；获取多变量时空数据文件中的变量数据，对变量建立基于四叉树的层次化索引结构，其中层次化索引用于查找时使用；用户定义查询范围区域；根据查询范围，载入元数据信息及层次化索引结构；以及根据变量的层次化索引结构，通过对层次化索引结构的节点进行递归查找完成实时范围查询。本发明通过对多变量时空数据进行四叉树结构层次化，减少了查找时的时间复杂度，提高了查询的速度与查询方法的易用性。

公开(公告)号：CN102664191A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210153269.4

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN102064460A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010515025.7

申请日：2010-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治 ,  张伟 ,  刘志弘

IPC: H01S3/13 ,  H01S3/131 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造中的检测技术范围，涉及应用于半导体晶圆片激光热处理的一种倍频激光器的功率测控方法。将倍频之前的激光分出一束来，由探测器进行光强和功率的测量与控制。因为这类光学元件只需要适应于倍频之前的处在可见光波段的较长激光波长，与传统的，仅对最终输出激光的功率进行测控的方法相比，当输出激光的波长处于紫外、深紫外波段时，传统方法的实现难度很大；采用本发明方法，则比较容易处理，从而使测控的光学系统实现起来更加简捷方便，既能够起到很好地监控实际输出功率的作用，实现的成本大大降低，在另一方面也充分考虑和利用到了倍频激光器源的特点，可更好地满足激光器稳定输出功率的测控目的。

公开(公告)号：CN101481812B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810246695.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 路新春 ,  张伟 ,  雒建斌 ,  刘宇宏 ,  潘国顺

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

Abstract: 本发明提供了一种集成电路铜布线电沉积用的电解液，包括如下组分和含量：硫酸铜为50～200克/升，硫酸为50～220克/升，氯离子为10～150毫克/升，抑制剂为5～200毫克/升，加速剂为5～50毫克/升，整平剂为0.5～20毫克/升，其余为去离子水。本发明由于电解液中含有氯离子、抑制剂和加速剂，电沉积后表面形貌改善，粗糙度减小。而且整平剂可增强沉积过程中加速剂在电极表面的吸附，进而增强加速剂的表面改善作用，镀层表面粗糙度进一步减小，沉积所得镀层Cu(111)晶向占优，沉积后表面枝状生长模式消失，表面无孔洞缺陷。

公开(公告)号：CN101789375A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010110718.8

申请日：2010-02-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘志弘 ,  张伟 ,  崔杰 ,  许平

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；(2)将硅片背面研磨减薄并去除应力；(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；(4)硅片背面注入硼离子；(5)进行炉管低温退火；(6)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面生成铝薄层，并合金处理；(7)采用溅射或蒸发方法，在硅片背面依次制备钛、镍、银金属层。本发明由于在硅片背面采用先注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理，然后注入硼离子并进行低温退火，提高了注入硼杂质的激活率，因此增强了对漂移区的电导调制效应，有效地降低了导通电阻和导通电压。本发明可以广泛应用于半导体制作工艺中。