单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

    单晶金刚石及其制造方法
    107.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103764882B

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201280042553.2

    申请日:2012-08-30

    Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石,其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍;并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石,首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理(S1)。在真空室中,经过脱氮处理的烃类气体(例如)在1200℃至2300℃(包括端值)的温度下在基底上热分解,从而制得碳原料(S2)。用这种碳原料合成金刚石,并且从该金刚石上切割出籽晶(S3)。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中,通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石(S4)。

    复合烧结体
    109.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106132906A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201580016978.X

    申请日:2015-03-16

    Inventor: 佐藤武 角谷均

    Abstract: 复合烧结体(10)包括金刚石相(11)和非金刚石碳相(12)。在复合烧结体(10)的一个任意指定截面的总面积中,非金刚石碳相(12)的面积所占据的比例为大于0%且小于等于30%。由此,提供了具有高耐磨性、高局部耐磨性和高耐崩裂性的含金刚石的复合烧结体,其适宜用作耐磨工具或切削工具等的材料。

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