表面声波器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1347196A

    公开(公告)日:2002-05-01

    申请号:CN01140841.3

    申请日:2001-09-20

    CPC classification number: H03H3/08 H03H9/25 Y10T29/42

    Abstract: 一种表面声波器件包括压电衬底,和至少一个装在其上的叉指式换能器,这换能器是用重于铝的一种金属或一种合金制成,在至少一个叉指式换能器的指状电极延伸方向上的表面声波的声速分布不大于约百万分之276,从而有效地抑制了相当大的纹波,这种纹波引人注意地群延迟时间特性中发现,尤其是,在带通区域内。

    弹性波装置及其制造方法
    95.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075764B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201780025581.6

    申请日:2017-02-28

    Inventor: 川崎健太郎

    Abstract: 本发明提供一种能够提高生产率且能够减小插入损耗的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:压电基板(2);第一IDT电极(4A)~第三IDT电极(4C),设置在压电基板(2)上;以及电介质膜(5),设置在压电基板(2)上,使得覆盖第一IDT电极(4A)~第三IDT电极(4C),且覆盖第一IDT电极(4A)的第一区域(A)的厚度与覆盖第二IDT电极(4B)以及第三IDT电极(4C)的第二区域(B)、第三区域(C)的厚度不同。构成包含第一IDT电极(4A)~第三IDT电极(4C)以及电介质膜(5)的第一弹性波滤波器(3A)~第三弹性波滤波器(3C)(第一弹性波元件~第三弹性波元件)。将如下的厚度设为密度换算厚度,该厚度为将分别构成第一IDT电极(4A)~第三IDT电极(4C)的材料的密度全部设为相同的密度而进行换算的厚度,此时,第一IDT电极(4A)、第二IDT电极(4B)的密度换算厚度相等,第三IDT电极(4C)的密度换算厚度与第一IDT电极(4A)、第二IDT电极(4B)的密度换算厚度不同。

    一种红外探测器
    96.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109245741A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201810753193.6

    申请日:2018-07-10

    Inventor: 吴青山 郑延景

    CPC classification number: H03H9/02535 H03H9/145 H03H9/25

    Abstract: 根据一种实现方法,公开了一种检测器。这种检测器包括表面激励声波(SEAW)谐振器以及衬底。这个谐振器包括一对电极和压电材料,压电材料电耦合到这对电极。SEAW谐振器被配置为产生表面激励声波;以及衬底和SEAW谐振器彼此由间隙隔开,并且其中检测器被配置为响应于入射在所述检测器上的电磁信号来确定所述表面激发的声波的频移。

    弹性波元件以及弹性波装置

    公开(公告)号:CN108886353A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201780022640.4

    申请日:2017-04-11

    Inventor: 上坂健一

    CPC classification number: H03H9/25

    Abstract: 弹性波元件(10)具备振动部(12)、电极焊盘(13)、第一端面(21t)与电极焊盘(13)接合的UBM(21)、以及与UBM(21)的第二端面(21s)接合的凸块(20),在表面(17s)上配置有三个以上的依次接合了电极焊盘(13)、UBM(21)、凸块(20)的接合端子,将一个接合端子与配置在其周围的多个接合端子的距离中的最小的距离定义为该一个接合端子的凸块间距离,具有比每个接合端子的凸块间距离中的最小的凸块间距离大且最大的凸块间距离的第一接合端子、以及与该第一接合端子以最大的凸块间距离配置的第二接合端子的第二端面(21s)的面积比其它接合端子大。

    复合滤波器装置、高频前端电路以及通信装置

    公开(公告)号:CN108886352A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201780022333.6

    申请日:2017-01-16

    Inventor: 高峰裕一

    CPC classification number: H03H9/25 H03H9/64 H03H9/72 H04B1/40

    Abstract: 本发明提供一种改善了第一带通型滤波器、第二带通型滤波器间的隔离度的复合滤波器装置。一种复合滤波器装置(1),其中,在包含压电体层的元件基板(15)上设置有公共端子(3),在元件基板(15)上构成有第一带通型滤波器(11)、第二带通型滤波器(12),第一带通型滤波器(11)、第二带通型滤波器(12)的一端与公共端子(3)连接,在信号布线(4)与第一带通型滤波器(11)之间设置有屏蔽电极(5),信号布线(4)设置在元件基板(15)上,将公共端子(3)与第一带通型滤波器(11)、第二带通型滤波器(12)连结,在屏蔽电极(5)与连接于第二带通型滤波器(12)的基准电位布线(7)之间连接有电感器(8)。

    复合滤波器装置
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108713291A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201780015461.8

    申请日:2017-03-03

    Inventor: 佐治真理

    CPC classification number: H03H9/145 H03H9/25 H03H9/64 H03H9/72

    Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制由赛兹瓦波的响应对以更高的频带为通带的带通型滤波器造成的不良影响的复合滤波器装置。一种复合滤波器装置(1),在载波聚合中使用,具备与天线公共端子(14)连接的、具有第一通带的第一带通型滤波器(2)和具有频率比第一通带高的第二通带的第二带通型滤波器(3),第一带通型滤波器(2)具备:LiNbO3基板;IDT电极,在LiNbO3基板上构成第一带通型滤波器(2);以及电介质膜,覆盖IDT电极,并以氧化硅为主成分,第一带通型滤波器(2)由至少一个以上的弹性波谐振器构成,利用了在LiNbO3基板传播的瑞利波,弹性波谐振器中的赛兹瓦波的声速为4643.2m/秒以上。

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