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公开(公告)号：CN113735594A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110982679.9
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的影响，制备工艺简单、高效。为高氧含量氮化硅粉体制备导热性能优异的陶瓷提供方向。
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公开(公告)号：CN113636844A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110984168.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体和烧结助剂按一定比例与有机溶剂混合后，经过造粒、压制、脱脂后，首先在低温、常压、通氮气条件下预处理1～5h，随后在高温、0.9～10MPa氮气压力下进行烧结。在第一步预处理中，根据氮化硅粉体氧含量调节氧化镁烧结助剂含量，利用氧化镁与氮化硅粉体表面二氧化硅低温反应特性，烧结前降低坯体氧含量，再进行第二步气压烧结。与未经过预处理的烧结体相比，经过两步烧结的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，总氧含量和第二相含量有明显减少，可制备热导率大于90W/m·K，抗弯强度大于750MPa的氮化硅陶瓷。
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公开(公告)号：CN109047780B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810932380.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备高致密度钨烧结制品的方法，属于粉末冶金技术领域。先将钨粉用气流磨处理得到细粒径钨粉，然后将近球形的细颗粒钨粉与石蜡粘结剂均匀混合得到混料。接着采用二次冷等静压工艺，先在低压强下将混料等静压压制成一次生坯，接着在氢气氛围进行热脱脂以完全去除粘结剂，然后在高压强下将脱脂生坯等静压压制成二次生坯，采用低温缓慢升温而高温快速升温的方法烧结得到高致密度、高组织均匀性的厚钨板坯。低温烧结缓慢升温，能使坯体充分还原以降低坯体内氧含量从而保持其烧结活性，高温烧结快速升温，能减少晶粒长大，该方法解决了以往大尺寸厚钨板容易出现局部疏松、裂纹的问题，得到的钨板坯致密度达到98％以上，且能保证板坯表面和中心位置组织的均匀一致性。
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公开(公告)号：CN111115592B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010023793.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米氮化硅粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。工艺过程为：(1)将正硅酸四乙酯、硝酸铵和水溶性有机物按照一定比例配制成混合溶液；(2)将混合溶液在不高于100℃的温度下加热搅拌至粘稠浆料；(3)将浆料在100℃‑400℃的非氧环境中反应得到前驱物；(4)将前驱物于1300℃‑1500℃的氮气气氛中反应1‑10h，得到氮化硅粉体；(5)随后在空气中除去多余碳。本发明工艺简单，效率高，成本低，得到的氮化硅粉体颗粒球形度好，粒度小于100nm。
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公开(公告)号：CN111238916B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010088872.3
申请日：2020-02-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高温合金中非金属夹杂物的分类提取与定量分析方法，涉及金属材料技术领域，所提取的夹杂物纯度高，掺杂项少，能够实现较好的非金属夹杂物定性与定量化效果，操作安全、效率高且对环境友好；该方法步骤包括：S1、对高温合金试样进行清洗；S2、测量高温合金试样的极化曲线，确定电解液的配比与电解制度；S3、配制电解液；S4、采用配制的电解液以及确定的电解制度对高温合金试样进行非水弱酸溶液电解；S5、收集非金属夹杂物，计算非金属夹杂物的含量；S6、收集夹杂物中的氧化物以及TiC和TiN，并测定成分和数量。本发明提供的技术方案适用于合金夹杂物提取的过程中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112063868A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010879936.1
申请日：2020-08-27
Abstract: 本发明属于先进金属材料制备研究领域，特别提供了一种氧化物弥散强化Al‑Mg‑Si铝合金的制备方法。具体包括以下步骤：前驱体粉末制备：将旋转电极雾化铝合金粉加入到溶液中浸渍适当时间，再选取入纳米氧化物源加入到溶液中进行搅拌后烘干，得到前驱体粉末。纳米氧化物包覆铝合金粉末制备：在气氛保护和一定温度下，将前驱体粉末放入高速搅拌加热炉中搅拌，纳米氧化物渗入旋转电极雾化合金粉末颗粒表层，最终得到纳米氧化物包覆的铝合金粉末，将纳米氧化物包覆的铝合金粉末进行激光熔覆成形，最终得到超细氧化物弥散分布的铝合金。本发明为制备ODS强化Al‑Mg‑Si铝合金提供了新的思路，具有生产周期短、成本低、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN111926231A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010881165.X
申请日：2020-08-27
Abstract: 本发明属于先进金属材料制备研究领域，特别提供了一种激光熔覆成形制备氧化物弥散强化MoNbTaVW难熔高熵合金的方法。步骤如下：前驱体粉末配置：将旋转电极雾化MoNbTaVW难熔高熵合金粉加入到前驱体溶液中浸渍，再选取纳米氧化物粉末加入溶液中搅拌然后烘干，在气氛保护和一定温度条件下，将前驱体粉末放入高速搅拌加热炉中搅拌，纳米氧化物渗入合金粉末颗粒表层，得到纳米氧化物包覆的高熵合金粉末。将纳米氧化物包覆的高熵合金粉末进行激光熔覆成形，得到具有超细氧化物弥散相的MoNbTaVW难熔高熵合金。本发明为制备ODS强化MoNbTaVW难熔高熵合金提供了新的思路，具有生产周期短、成本低、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN111889681A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010856156.5
申请日：2020-08-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种铜基粉末冶金制动闸片及制备方法，属于高速列车制动领域。制动闸片具有宽温域摩擦系数稳定性，成分包括铜粉、镍粉、铁粉、片状石墨粉、粒状石墨粉、碳化硅粉、莫来石、镀镍二硫化钨或者氟化钙或者氟化钡、六方氮化硼。粉末经过充分混合后冷压成形，所得坯体在振荡压力下烧结、冷却后即可制得铜基制动闸片。本发明充分发挥三种润滑组元在不同温度区间的优良润滑性能，并且利用振荡加压烧结，使得制备出的闸片的组织均匀性和致密度大幅提高。因此制得在宽温域下摩擦系数稳定的铜基制动闸片，且其在列车高速制动情况下的摩擦系数较高、磨耗量低，有效克服了目前铜基制动闸片在列车连续紧急高速制动时所存在的摩擦系数衰退明显、磨耗量大的问题，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN111873421A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010602576.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: B29C64/205 , B29C64/214 , B29C64/357 , B28B1/00 , B22F3/105 , B33Y30/00 , B33Y40/00
Abstract: 本发明涉及梯度材料增材制造领域，提供了一种下送粉式梯度粉层铺放装置及铺放粉层方法，所述装置包括刮粉器，以及在水平铺粉方向上依次设置的储粉器、混粉平台、工作平台及回收斗；储粉器呈顶部开放的长方体状，储粉器被可拆卸的隔板分割为2个或多个分区，用于盛放不同种类的粉末；混粉平台紧邻储粉器水平放置，工作平台紧邻混粉平台，回收斗紧邻所述工作平台。所述方法通过对储粉器中的粉末进行分隔，并通过刮粉器在送粉过程中的混合作用将分布放置的粉末在铺粉方向上充分混合，并保持在垂直于铺粉方向上的成分比例；该方法不通过设备结构改造，可对目前增材制造市场上占较大比例的下送粉式粉床类增材制造设备进行梯度材料功能升级。
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公开(公告)号：CN109295330B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811259996.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种细化镍基变形高温合金中氮化物系夹杂物的方法，步骤如下：(1)对金属原材料进行表面预处理；(2)真空感应熔炼：将Ni、Cr、Co、W、Mo等放入坩埚中，抽真空；熔化后加入C、Nb、Ti、Al；充氩气，加入B和Zr，完全熔化后浇注到钢模中，得到高温合金电极；(3)真空电渣重熔：采用含有0.01～0.5wt.％MgO的渣料，抽真空至0.01～100Pa，然后充高纯氩气至0.01～0.06MPa；化渣，精炼。本发明利用电渣重熔时熔渣与合金液的冶金反应，形成细小的均匀分布的MgO系夹杂物，为后续氮化物系夹杂物的形成提供核心；氮化物系夹杂物尺寸减小，分布更加均匀。真空电渣重熔可以减少氮化物系夹杂物的数量；通过控制电渣中MgO含量和电渣重熔的工艺参数，可精确控制合金中Mg含量和Mg系氧化物夹杂物的数量和尺寸，工艺稳定，成本低。
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