公开(公告)号：CN110752422B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201910998670.X

申请日：2019-10-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴泽威 ,  廖校毅 ,  王敏行 ,  蒲友雷 ,  蒋伟 ,  罗勇

IPC: H01P1/16

Abstract: 本发明公开了一种紧凑型高纯度圆波导TE02模式激励器，属于微波毫米波技术领域。该模式转换器包括依次连接的矩形波导功分网络、十字波导、十字波导‑圆波导过渡结构。TE10模通过矩形波导功分网络输出等幅同相的的四路TE10信号，四路TE10信号从十字波导的四个夹角连接处注入十字波导，在十字波导内圈激励起一圈旋转对称的场；内圈的场向外圈扩散并激励起反向旋转的场，从而在十字波导内激励起TE44模式；TE44模式经过十字波导‑圆波导过渡结构，转换成圆波导中的TE02模式输出。本发明通过使用十字波导TE44模式作为中介模式，极大的简化内部功分网络，有效的实现矩形波导TE10模式到圆波导TE02模式的转换，并且能高效的抑制寄生模式的产生。

公开(公告)号：CN110767962A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911044876.5

申请日：2019-10-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴泽威 ,  王敏行 ,  蒲友雷 ,  蒋伟 ,  罗勇

IPC: H01P1/163

Abstract: 本发明公开了一种圆波导TM11模式的模式激励器，属于大功率毫米波测试技术领域。该模式激励器包括功分结构、耦合激励结构和输出结构。TE10模通过功分结构后，被分成幅度相等、相位相差180°的两组TE10模到达耦合端。在耦合端，两组矩形波导TE10模分别被耦合激励结构的两个耦合探针高效耦合进入到脊间隙波导，转换为两组幅度相等、相位相差180°的脊间隙波导准TEM模式，被脊间隙波导分别传输到两个激励探针处，并通过激励探针在输出结构的激励端激励起一组等幅反相的TEM波。这组TEM波经过矢量合成后成为圆波导TM11模，经由输出端口输出圆波导传输链路中。本发明的模式激励器可以在宽带内产生圆波导TM11模式，模式纯度高，传输损耗小，结构紧凑，有利于系统的集成。

公开(公告)号：CN109638403A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910035003.1

申请日：2019-01-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴泽威 ,  王敏行 ,  周秋辉 ,  刘国 ,  蒲友雷 ,  蒋伟 ,  罗勇

IPC: H01P5/18

CPC classification number: H01P5/181

Abstract: 本发明公开了一种双模紧凑型过模定向耦合器，属于大功率微波技术领域。该定向耦合器包括耦合部分和对称放置于其两端的输入/输出过渡段；所述输入/输出过渡段为圆波导‑类圆波导的转换结构，实现圆波导TE11模‑类圆波导准TE11模之间的模式转换；所述耦合部分包括耦合孔、作为微波主通道的类圆波导和副波导，类圆波导通过耦合孔与副波导连接。本发明通过采用中心对称放置的双排耦合缝，在满足耦合度的前提下，实现高方向性输出。具有双模工作特性，即对圆极化和线极化入射波均能实现监测，且不改变入射波束的极化状态，应用范围广泛。本发明结构定向耦合器整体设计简单，紧凑，有效降低了加工难度。

公开(公告)号：CN106500846B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201610839361.4

申请日：2016-09-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周云 ,  蒋伟 ,  闫相宏 ,  杨皓然

IPC: G01J5/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种红外成像系统的非均匀性校正方法，其采集内部挡板数据和外部挡板数据，通过内外挡板数据计算出校正补偿因子，然后在计算非均匀性校正参数的过程中对内挡板数据进行补偿，使其接近外部挡板数据。这样，在红外成像系统的非均匀性校正过程中补偿了内挡板的温度变化，从而使得非均匀性校正过程更准确，提高了红外图像的质量，减小了蒙纱感。

公开(公告)号：CN106997982A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710334761.4

申请日：2017-05-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒲友雷 ,  孙健健 ,  吴泽威 ,  蒋伟 ,  王建勋 ,  罗勇

IPC: H01P5/12

Abstract: 本发明公开了一种Klopfenstein阻抗过渡扩展同轴功率分配/合成器，属于微波技术领域。该结构包括：50欧姆标准同轴波导、同轴波导到扩展同轴波导过渡结构、扩展同轴波导段、λ/4长阻抗匹配段和沿径向呈辐射状分布的50欧姆标准同轴波导阵列。本发明基于Klopfenstein阻抗变化的同轴波导到扩展同轴波导过渡结构，实现同轴波导到扩展同轴波导的最佳匹配，大大提高整个功率分配合成器的工作带宽；并且该结构具有很低的插入损耗、良好的散热性能、紧凑的结构，输入输出均采用50欧姆标准同轴波导接口，便于微波毫米波系统应用。

公开(公告)号：CN204792914U

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201520547525.7

申请日：2015-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何少伟 ,  郭庆瑞 ,  黄文灵 ,  胡晓东 ,  蒋伟

IPC: H01L35/06 ,  H01L35/32

Abstract: 本实用新型公开了一种抗高过载的半导体制冷器，属于半导体制冷器及器件封装技术领域。包括：器件封装底座、半导体制冷器、沉头螺钉、银浆或焊料等组件。所述半导体制冷器冷面的陶瓷基板两端长于热面两端，冷面的陶瓷基板两端为斜槽结构，并在斜槽中间刻有通孔，通过沉头螺钉和底座连接。利用这种结构可增强半导体制冷器抗过载的能力，提高器件的结构强度。本实用新型能保证半导体制冷器在高过载情况下器件结构完整，满足封装组件在高过载情况下的工作要求。