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公开(公告)号：CN104944947A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510260718.9
申请日：2015-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了一种微波旋磁-介电复合陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。所述微波旋磁-介电复合陶瓷材料包括微波旋磁相LZTF和微波介电相LZT，所述微波旋磁相LZTF的质量百分比为35wt％～50wt％，所述微波介电相LZT的质量百分比为50wt％～65wt％，所述微波旋磁相LZTF为Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4，所述微波介电相LZT为Li2ZnTi3O8。本发明得到的复合材料具有低矫顽力、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度特性，同时兼具低介电常数、高品质因数、低温度系数特性，为LTCC元器件向高频化、宽频化、小型化发展提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN102408202B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110235563.5
申请日：2011-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种微带天线复合基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述复合基板材料由70～90质量份数的主相材料和10～30质量份数的辅助相材料复合而成；其中：主相材料为Co2Z型六角铁氧体，其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24O41(x的取值范围为0～1.5)；辅助相材料为聚丙烯树脂。其制备方法包括1)称料、混料、一次球磨后烘干；2)预烧；3)二次球磨、烘干；4)烧结；5)三次球磨、烘干；6)复合、造粒；7)热压成型等步骤。所述复合基板材料，在300MHz～3GHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性；同时具有一定的柔韧性；其制备方法简单易操作，便于掌握和推广。采用所述复合基板材料作为微带天线基板，有助于降低微带天线重量和体积，有利于提高微带天线的带宽以及辐射效率。
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公开(公告)号：CN101847433B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010146346.4
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法，属于磁性材料与元器件领域。所述CP构架的磁性随机存储器包括两个相同的CP构架的磁性随机存储器阵列和一个比较器，一个阵列为主磁性随机存储器阵列A1，另一个阵列为存储信息已知的参考磁性随机存储器阵列A2，A1的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的一个输入端；A2的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的另一个输入端。信息读取时，通过比较器输出电平的高低来判断主磁性随机存储器阵列A1中读取单元的信息是否与参考磁性随机存储器阵列A2中相应存储单元所存储的信息一致的方式来读取信息。本发明可在存储密度不变的前提下消除漏电流影响，保证存储单元信息读出的准确率。
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公开(公告)号：CN102838346A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210378617.8
申请日：2012-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种以尖晶石铁氧体为母体的天线基板材料及其制备方法，为包含两相的复合陶瓷材料，其中主晶相为尖晶石铁氧体，辅助相为硅酸锌，所述主晶相与辅助相的质量百分比在94∶6至96∶4之间。本发明的天线基板材料可以显著的缩小低频段（10～200MHz）微带天线的尺寸和体积，保证天线基板材料的特性阻抗与真空的特性阻抗相等或接近，从而可显著的提升天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN102707247A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210183681.0
申请日：2012-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法，属于信息功能器件技术领域。探头，包括非晶带状磁性材料和位于非晶带状磁性材料表面两端的金属对电极，所述金属对电极之间的非晶带状磁性材料两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜；上下两层钴铁氧体薄膜具有沿非晶带状磁性材料长度方向一致的硬磁相特性。探头制备时采用射频磁控溅射工艺在非晶带状磁性材料上沉积钴铁氧体薄膜和采用充磁机对钴铁氧体薄膜充磁使其呈现硬磁相的关键工艺。本发明提供的自偏置巨磁阻抗传感器探头具有体积小、易集成、无额外功耗的特点；产品制备简单、工艺可控、稳定性高；能够获得更宽范围的线性工作区，并大幅提高灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101510630B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910058735.9
申请日：2009-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种LTCC叠层微带贴片天线，属于天线技术领域，涉及低温共烧陶瓷(LTCC)技术，特别涉及一种用于无线电接收的低剖面微带贴片天线。包括三层LTCC基片：第一层基片上开有同轴馈电孔，其上表面是第一辐射金属贴片，下表面是反射底板；第二层基片上均匀开有气孔；第三层基片的上表面是第二层辐射金属贴片。还包括同轴馈电针，同轴馈电针从底部插入同轴馈电孔，与第一层基片第一层辐射贴片接触，且与反射底板之间绝缘。所述第一、二和三层LTCC基片按照从下往上第一、二和三的顺序通过LTCC叠层和等静压工艺后先形成一个整体，再经低温共烧后形成一个整体。本发明可以有效拓展微带天线的带宽；增强两层辐射贴片之间的耦合；提高天线的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN102496449A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110400671.3
申请日：2011-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法，属于磁性材料与元器件领域。首先外磁场H1作用下沉积铁磁/反铁磁双层膜(钉扎场的方向与外磁场H1方向一致，定义为钉扎场初始方向)；然后在所得铁磁/反铁磁双层膜中以钉扎场初始方向为起点，沿角度θ方向施加大于钉扎场Hex与铁磁层矫顽力之和的外磁场H2，同时沿外磁场H2方向施加一电流密度大于105A/cm2的脉冲电流，即可产生沿角度θ方向的新钉扎场。本发明利用自旋转矩效应调制铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向，大大简化了制备步骤，降低了对专用设备的依赖；另外，在钉扎场方向设定完成后，可通过重新设置外磁场H2的方向在电流脉冲作用下重新调制该双层膜的钉扎场方向，增加了应用的灵活性。
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公开(公告)号：CN102231423A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110176719.7
申请日：2011-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种巨磁阻抗薄膜材料及其制备方法，属于功能材料技术领域。巨磁阻抗薄膜材料由衬底基片表面彼此相间的NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层形成多层薄膜体系，其中NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)；掺Cr的NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)，且掺杂元素Cr的质量占Ni、Fe和Cr质量总和的1％～8％；NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层厚度不超过200纳米、且数量级相当，整体厚度达到微米量级。本发明的巨磁阻抗薄膜材料采用具有不同饱和磁化强度的磁性层间隔而成，相比磁性层与非磁性层形式的错层薄膜材料体系，其饱和磁化强度更大，从而可获得更大的巨磁阻抗效应，为制备巨磁阻抗微传感器提供了一种性能更为优异的材料选择。
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公开(公告)号：CN101462872B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910058207.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01F1/34 , C04B35/30 , C04B35/622 , H01Q1/00
Abstract: 一种低频微带天线基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述基板材料的主晶相为铁氧体，其配方分子式为NixCu0.1ZnyCo0.05FezO4-δ，其中x的取值范围为0.78～0.82，y的取值范围为0.07～0.03，z的取值范围为1.90～1.94，δ的取值以保证正负离子价态的平衡；辅助相为钛酸锶铋，其配方分子式为BiaSr1-aTiO3，其中a的取值范围为0.20～0.24；主晶相与辅助相的质量百分比在95∶5至97∶3之间。所述制备方法包括分别制备铁氧体预烧料和钛酸锶铋预烧料；然后将两种预烧料按比例二次球磨后造粒、成型和烧结步骤。本发明提供的低频段微带天线基板材料在1MHz～100MHz的范围内，磁导率和介电常数在18至25之间，且频段内比介电损耗系数低于0.03，可显著缩小低频段微带天线的尺寸和体积，并显著提升天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN101577357A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910059352.3
申请日：2009-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/19
Abstract: 一种带状线型铁氧体移相器，属于微波通讯器件技术领域。包括：矩形立方体旋磁铁氧体材料(1)，其内部开有前后贯通的空腔，以形成闭合磁回路，其外表面印刷有银电极；矩形介质基板(2)，其表面具有两条相互平行的磁化电流导线(3)和一条移相用弯曲式微带线；矩形介质基板内嵌于旋磁铁氧体材料的空腔中，矩形介质基板周围与旋磁铁氧体材料之间填充绝缘胶。器件工作时，通过磁化电流导线施加磁化电流使旋磁铁氧体磁化，去掉磁化电流后旋磁铁氧体工作于剩磁状态；在移相用弯曲式微带线的两个端电极之间连接微波信号，就会产生非互易的差相移。本发明可显著缩小铁氧体移相器的体积和质量，有利于实现移相器与其它有源/无源器件或组件的集成。
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