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公开(公告)号：CN119911960A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510101398.6
申请日：2025-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G1/02 , C01F17/10 , C01F17/229 , C01F17/235 , C01F7/30 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种熔盐淬火法制备金属氧化物纳米粉末的方法，先将反应体系加热使前体盐呈熔融状态；再向反应体系中添加金属源盐反应一段时间；取出反应体系置于液体中淬火；产物冷却至室温，离心清洗、彻底干燥后获得金属氧化物纳米粉末材料；其中，前体盐和金属源盐的质量比为100～0.5:1。本发明方法可制备得到多种形貌、尺寸的金属氧化物纳米粉末，其形貌、尺寸可通过前体盐与金属源盐的配比、淬火液的配比和反应温度与时间进行调控。制得的金属氧化物纳米粉末在催化、储能、降解、离子交换、脱硫脱硝等能源与环境领域获得应用，且生产过程简便易行，无需复杂专用设备，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN119911959A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510101150.X
申请日：2025-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G1/02 , C01F17/10 , C01F17/229 , C01F17/235 , C01F7/30 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种复合金属氧化物纳米粉末的制备方法，包括：将前体盐、两种不同金属源的盐、氢氧化钠/氢氧化钾、尿素充分混合，构成混合反应物；在惰性气体氛围中，从室温以一定升温速率升温至反应温度，保温加热使混合反应物呈熔融状态，反应一段时间；随炉冷却至一定温度，保温一段时间；再以一定升温速率升温至二次反应温度，反应一段时间；随炉冷却至室温，产物超声分散于去离子水中，经过离心清洗，彻底干燥后获得复合金属氧化物纳米粉末材料。本发明方法可制备得到多种物相、多种形貌和尺寸的复合金属氧化物纳米粉末，其种类、形貌、尺寸可通过前体盐、金属源盐的配比，以及反应温度和反应时间进行调控。
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公开(公告)号：CN111740703B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010451995.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明公开了伪Doherty式自输入控制的负载调制平衡类功率放大器及其实现方法，包括两个正交耦合器、两个功率放大电路、控制信号电路、功分器、相位延迟线和隔离电阻，其中，控制信号电路通过将功分器输出的信号进行功率放大来实现所需的控制信号。同时，将平衡类功放设置成峰值功放，控制信号电路设置成载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征。对于现有技术，本发明通过使用正交耦合器引入自输入的控制信号来实现的负载调制类功率放大器，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，并且将平衡类功放当作峰值功放，控制信号电路当作载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征，提高了负载调制类功放功率回退范围和此范围内的效率。
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公开(公告)号：CN117765222A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311512870.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V10/22 , G06T7/00 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06T5/70 , G06N3/0464 , G06N3/096
Abstract: 本发明公开了一种自动生成PCB切割路径的方法，该方法首先需要采集了大量的需要切割的PCB图像；然后对采集到的图像做预处理，并用软件标注出PCB桥接点区域的坐标和切割路径的类型。将数据划分为训练集、测试集和验证集；使用Faster R‑CNN模型进行训练和测试，模型应用于实际产出；将模型框选出的PCB桥接点区域的图像进一步处理，根据桥接点的背景和前景的差异以及桥接点的特性，提出了一套“评分”机制，能够准确寻找出PCB桥接点的边界；最终根据切割规则实现了PCB切割路径的自动生成。
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公开(公告)号：CN115739063B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202211450687.X
申请日：2022-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/30 , B01J35/39 , B01J35/45 , B01J35/40 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开一种新型氧化钛多级阵列光催化薄膜及其制备方法。该薄膜生长于钛金属衬底上，是由TiO2纳米线或纳米棒阵列作为主干和包裹于主干顶部的TiO0.89纳米颗粒或纳米花分支构成的多级纳米阵列。主要制备过程为：在一定温度范围内，钛片在含双氧水、四乙烯五胺和无机酸的反应液中反应一定时间，并在空气中经过高温热处理，最终得到氧化钛多级阵列。模拟太阳光照射下薄膜具有优异的光催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115381292B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211138513.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种出水温度精确可调的速热模块及其控制方法。该速热模块，包括外壳、通水管道、加热组件和可调隔热组件。外壳内设置有安装通道。加热组件设置在安装通道内，并与穿过安装通道的通水管道间隔设置。可调隔热组件包括隔热板和驱动模组。隔热板位于通水管道之间。隔热板与外壳滑动连接。隔热板上设置有隔热段；通过控制隔热板滑动，能够调节加热组件与通水管道之间的区域被隔热段分隔的程度。本发明通过改变加热组件与通水管道之间被隔热段阻隔的比例，调节加热组件与通水管道之间的换热效率；从而通过降低加热组件与通水管道之间换热效率的方式避免加热组件制备热水后的余热导致速热模块无法立刻制备温水的问题。
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公开(公告)号：CN109871580B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910023289.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于简化实频方法的放大器匹配网络设计方法。现有放大器匹配网络设计方法操作复杂繁琐。本发明如下：一、设定平坦增益水平T0；通过用达林顿等效方法，将源、负载阻抗分别等效为[G]、[L]；以[E]来等效匹配网络。二、建立[G]、[E]和[L]级联后的增益T w的表达式。三、建立匹配网络[E]的E11、E12、E21的表达式。四、计算出T w。五、设计出匹配网络。本发明采用实归一化的散射参量矩阵函数描述二端口匹配网络，以散射参量矩阵函数为变量，优化匹配网络的传输功率增益TPG。
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公开(公告)号：CN111945137B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010675801.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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公开(公告)号：CN112828284B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011631700.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料的制备方法，首先制备好金纳米棒原料，重新分散后按一定方式加入正硅酸乙酯(TEOS)溶液，在金纳米棒表面生长介孔二氧化硅。首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂，采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。本发明所制备的一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料生长均匀。此发明的反应条件简洁，反应速率较快，并且实现了低成本。
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公开(公告)号：CN115101586A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210773421.2
申请日：2022-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/207 , H01L29/08 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底和设置在衬底上方的GaN层，所述GaN层上方设置有源极、漏极和T型栅极，所述源极和漏极之间设置有势垒层，所述势垒层包括势垒层本体、源端掺杂区和漏端掺杂区，所述源端掺杂区和漏端掺杂区通过欧姆接触工艺分别与源极和漏极相连接，所述源端掺杂区和漏端掺杂区掺杂具有大原子半径的金属原子，所述势垒层与GaN层之间设有AlN插层，所述势垒层上表面设置有钝化层。采用上述技术方案，通过在势垒层掺杂具有大原子半径的金属原子能够改变欧姆接触附近势垒层的应变，进而改变与势垒层应变相关的极化库仑场散射的大小，实现栅源通道电阻的调节，从而提高GaN基HFETs的性能。
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