一种SiC-MOSFET的驱动电路
    94.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111900969A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种SiC-MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC-MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC-MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC-MOSFET连接,用于通过防止SiC-MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC-MOSFET误动作和SiC-MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC-MOSFET的稳定关断。

    一种SiC-MOSFET的驱动电路
    99.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111900969B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种SiC‑MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC‑MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC‑MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC‑MOSFET连接,用于通过防止SiC‑MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC‑MOSFET误动作和SiC‑MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC‑MOSFET的稳定关断。

    一种电网阻抗测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111435141B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN201910034360.6

    申请日:2019-01-15

    Abstract: 一种电网阻抗测量装置,包括:逆变器、LCL并网滤波器、数据测量模块、PI调节模块、龙贝格观测器和PWM模块;LCL并网滤波器与逆变器连接,用于滤除电网数据中的谐波分量;数据测量模块与龙贝格观测器和PI调节模块连接,用于将采集到的电网侧三相电流和三相电压传送至龙贝格观测器和PI调节模块;龙贝格观测器预测逆变器的电容电压,并将预测结果传送至PI调节模块;PI调节与PWM模块连接,用于制定逆变器的调制电压,并传送至PWM模块;PWM模块与逆变器连接,用于按照调制电压将逆变器并网,数据测量模块对并网后的逆变器进行阻抗测量。本发明的加劲方法能有效提高相贯焊钢管节点的刚度和强度,传力均匀,降低应力集中程度,提高节点的整体承载能力。

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