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公开(公告)号：CN118248533B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410671826.4
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二维材料/单晶衬底上外延制备的单晶氮化物半导体结构剥离转移至多晶金刚石层/高散热能力支撑层，解决了金刚石复合衬底表面缺少单晶氮化物半导体结构外延所需长程有序界面的问题，能够按需制备出金属晶格极性或氮晶格极性的氮化物异质结构，得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构，同时精细的结构设计与工艺方案使得单晶氮化物半导体结构与多晶金刚石层/高散热能力支撑层间具有陡峭界面，能够降低界面热阻，并提升单晶氮化物半导体结构热管理能力，具有材料晶体质量高和尺寸扩展能力强等优点，应用于大功率且高频率电子器件制备。
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公开(公告)号：CN118248533A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410671826.4
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二维材料/单晶衬底上外延制备的单晶氮化物半导体结构剥离转移至多晶金刚石层/高散热能力支撑层，解决了金刚石复合衬底表面缺少单晶氮化物半导体结构外延所需长程有序界面的问题，能够按需制备出金属晶格极性或氮晶格极性的氮化物异质结构，得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构，同时精细的结构设计与工艺方案使得单晶氮化物半导体结构与多晶金刚石层/高散热能力支撑层间具有陡峭界面，能够降低界面热阻，并提升单晶氮化物半导体结构热管理能力，具有材料晶体质量高和尺寸扩展能力强等优点，应用于大功率且高频率电子器件制备。
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公开(公告)号：CN118231545A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410660149.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京大学 , 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法。本发明通过在耐高温衬底上制备出具有半悬空AlN结构的单晶氮化铝，通过光学介质材料覆盖单晶氮化铝的非悬空状态的AlN且暴露悬空状态的AlN，以周期性分布的具有低位错密度和低失配应力的悬空状态的AlN表面作为氮化物半导体的成核生长区域，将外延界面从AlN/耐高温衬底变为氮化物半导体与AlN的同质或近同质界面，得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备成本低，适用于大规模生产氮化物半导体LED器件的衬底，用于制备氮化物半导体可见光或紫外光LED。
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公开(公告)号：CN117535790A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410033428.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台包括声表面波发生器和供电支架；本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具有良好耐热性的材料，能够在高温正常工作；本发明设计的结构能够很好与当前商用分子外延生长设备兼容，在无需改装生长腔体的情况下原位产生声表面波，从而辅助分子外延生长。
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公开(公告)号：CN116497455A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310781440.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137710A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111360908.X
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: H04W12/06 , H04W12/041 , H04W12/0471 , H04L9/08 , H04L9/40 , H04L67/141
Abstract: 本发明公开了一种通用的三方口令认证密钥交换方法。本发明可以将任意安全的两方口令认证协议转换为安全的三方认证协议；允许服务器S通过增强的非对称口令认证协议理想功能和安全信道理想功能分别与用户U和服务节点SN建立会话密钥。本发明可以兼容无线传感器网络、物联网、智能电网、智能家居等多种网络环境，支持运算性能较低的传感器节点等参与认证。利用本发明提供的技术方案，在新的网络应用出现时，当网络结构不发生变化时，协议设计者无需设计新协议，可以充分利用之前设计的协议。
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公开(公告)号：CN112698975B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011468424.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种微服务架构信息系统的故障根因定位方法及系统，包括：指标数据收集模块、异常检测模块、微服务依赖图构建模块、反向追踪模块；通过建立微服务之间的动态关联分析方法，设计基于故障传播链模型的根因定位算法，在定位故障根因服务的同时识别相关故障的传播过程，提高故障定位与诊断的可解释性，可用于微服务架构信息系统中，提高对微服务架构信息系统中动态关联建模的准确度，并且以微服务性能指标数据驱动的方法提高了微服务架构信息系统故障诊断工具使用的简便性，节省部署的时间和精力。
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公开(公告)号：CN113904833B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202111158752.7
申请日：2021-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于门限的动态多因素身份认证方法和通信方法。本发明允许用户通过口令、多个可选设备、生物特征进行身份认证，支持用户根据需求从n个认证因素中自主选择t个因素进行认证。利用基于门限的不经意伪随机函数和认证密钥交换协议构造门限多因素认证协议框架。本发明使用除口令外其他t‑1个因素中的任意一个，通过修改的TOPRF协议将口令增强为随机密钥，使用该随机密钥运行AKE协议进行身份认证。除口令外，其他因素都对应TOPRF中的一个密钥。设备因素的密钥存储在本地，生物因素通过模糊提取技术将用户生物特征提取成密钥，以防止服务器存储文件泄漏时发生生物因素泄漏。
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公开(公告)号：CN113904833A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111158752.7
申请日：2021-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于门限的动态多因素身份认证方法和通信方法。本发明允许用户通过口令、多个可选设备、生物特征进行身份认证，支持用户根据需求从n个认证因素中自主选择t个因素进行认证。利用基于门限的不经意伪随机函数和认证密钥交换协议构造门限多因素认证协议框架。本发明使用除口令外其他t‑1个因素中的任意一个，通过修改的TOPRF协议将口令增强为随机密钥，使用该随机密钥运行AKE协议进行身份认证。除口令外，其他因素都对应TOPRF中的一个密钥。设备因素的密钥存储在本地，生物因素通过模糊提取技术将用户生物特征提取成密钥，以防止服务器存储文件泄漏时发生生物因素泄漏。
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公开(公告)号：CN111865552B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910361338.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种检测分布转化编码器抗编码攻击能力的方法，首先判断分布转化编码器编码是否具有歧义性，再分别针对无歧义性和有歧义性的分布转化编码器进行检测，能够识别DTE是否具有抵抗编码攻击的能力，并检测出分布转化编码器编码具体的安全漏洞，辅助DTE设计者修补安全漏洞，从而设计出能够抵抗编码攻击的DTE，为DTE设计提供技术支撑。
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