高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN113161408B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202011588662.7

    申请日:2020-12-28

    摘要: 本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法,包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环;相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环,相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环,相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区,相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽;本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构,能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移,且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。

    高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN113161408A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202011588662.7

    申请日:2020-12-28

    摘要: 本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法,包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环;相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环,相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环,相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区,相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽;本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构,能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移,且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。

    一种密钥异构防御方法
    94.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109413092A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811386581.1

    申请日:2018-11-20

    IPC分类号: H04L29/06

    摘要: 本发明公开了一种密钥异构防御方法。本发明采用的技术方案为:用户端上的用户根据自己的需求发起服务请求,转发控制端在接收到用户服务请求信息后,向缓存池申请加密,缓存池返回两种加密方式给分发器,并将其中一种加密方式的解密方式同步给要接收该信息的执行体,分发器采用有解密方式的加密方式后将加密后的信息与另一种加密方式传送给执行体,重复使用该方法生成2n种加密、解密方式,其中n为执行体的个数;执行体接收加密信息后,解密该信息生成结果信息,并将结果信息加密后返回给表决器,表决器根据表决算法做出表决将结果返回给用户。本发明迷惑攻击者的同时也解决了变换加密方式后执行体解密方式延迟造成的执行体非外界攻击异常。

    高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113053997B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202011588647.2

    申请日:2020-12-28

    IPC分类号: H01L29/06 H01L21/265

    摘要: 本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法,该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层,第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度,同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合,从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂,使电场均匀分布,在保证终端效率的前提下缩小终端面积,从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。