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公开(公告)号：CN102530918B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210004725.9
申请日：2012-01-09
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术，具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备；阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，通过不锈钢板上的外加引线对电弧区施加电场。首先施加电场，而后起弧放电，石墨、催化剂、生长促进剂共蒸发，生成单/双壁碳纳米管；电场作用下，每根单/双壁碳纳米管表面均带有电荷，管与管之间的静电排斥力大大增加，阻止了碳纳米管通过范德瓦尔兹力聚集成大管束，从而得到多以单根或小管束形式存在、高质量的单/双壁碳纳米管。这种较小管束尺寸的单/双壁碳纳米管样品减缓了碳管聚集成束对其本征的电子结构的改变。
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公开(公告)号：CN103132148A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397153.0
申请日：2011-12-05
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明提供了一种低密度、低成本、高强镍基单晶高温合金，该合金的组成成分构成和各成分的质量百分含量为：Cr：9.0～11.0%，Co：4.0～6.0%，Mo：2.0～4.0%，Ta：1.5～3.0%，Al：4.0～6.0%，Ti：4.0～6.0%，Hf：0～0.2%，其余为Ni；该合金不仅具有低密度、低成本特点，还具有较高的高温力学性能、抗氧化性能以及良好的组织稳定性；特别适用于航天、航空发动机高温部件。
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公开(公告)号：CN103011130A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210566068.7
申请日：2012-12-24
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域，具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下，通过调节优化载气氢气的流量，在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管，最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管，其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%，直径分布在1.5-2.5nm之间，集中氧化温度最高达到800℃。本发明实现了较窄直径分布、高质量、半导体性单壁碳纳米管的大量、快捷、低成本控制生长，有效避免了选择性制备导电属性占优的单壁碳纳米管过程中，强刻蚀剂对样品损坏严重以及制备工艺复杂、产量低、成本较高等问题。
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公开(公告)号：CN101924196B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910012076.5
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及大幅度提高石墨电化学性能的技术，具体为一种大幅度提高石墨可逆容量的方法。在纳米硅球粉表面化学气相沉积炭后，将包有炭的硅粉与石墨混合，具体如下：首先，通过化学气相沉积的方法在纳米硅球粉表面均匀包覆炭层，其中的炭层重量占5-40％；再将包覆有炭层的纳米硅球粉与石墨进行混合，其中的纳米硅球粉重量占5-20％，做成锂离子电池负极。本发明通过添加少量沉积炭后的纳米硅球粉，可大幅度提高石墨的可逆容量，锂离子电池负极的首次可逆容量比石墨提高50-300％，并保持石墨的高库伦效率和长循环寿命，解决了目前石墨可逆容量低，及纯硅粉库伦效率低和循环寿命差等问题。
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公开(公告)号：CN102530917A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004720.6
申请日：2012-01-09
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术，特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备，阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石墨、硅粉蒸发，碳原子向阴极沉积，并通过硅团簇的掺入等原因，在阴极处沉积得到尖锐端头碳纳米管。这种结构具有纳米量级的尖端及数十纳米到数百纳米量级的底座，这种特殊的形貌特征及电弧法所赋予的高结晶度的结构特征，使其作为电子场发射体时，显示出优异的场发射性能，作为单根电子源场发射体时，场发射稳定性良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101587098B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810011490.X
申请日：2008-05-21
Applicant: 山东省科学院激光研究所 , 中国科学院金属研究所
Abstract: 一个通道同时实现三种功能的钢管超声探伤方法，采用三功能探头，包括楔块，压电陶瓷片一，压电陶瓷片二，可变电阻；在一般的斜探头基础上，加了一个压电陶瓷片二，压电陶瓷片一的作用和普通斜探头中的压电陶瓷片的作用相同；压电陶瓷片二与楔块构成了一个有延迟块的直探头，压电陶瓷片二向钢管壁发射纵波，并接收来自钢管内壁和外壁的反射回波；当耦合不良时，钢管内壁反射回波Bi消失或大幅下跌而低于闸门高度，其监控闸门W1发出报警信号；如果壁厚超限，Bi移动到闸门之外，W1也发出报警信号。本发明的优点：既能自动监控水耦合状况，又不增加通道，还能同时实现监控钢管壁厚的功能，做到了探伤、耦合监控、壁厚监控三项功能仅用一个通道。
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公开(公告)号：CN102320594A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110258881.3
申请日：2011-09-02
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氧辅助浮动催化剂直接生长半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁为催化剂前驱体、适量的硫粉为生长促进剂、氢气为载气、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长及原位刻蚀小直径和金属性单壁碳纳米管，最终获得半导体性单壁碳纳米管占优的样品，其含量到达90wt％，直径分布在1.4-1.8nm之间。本发明实现了较窄直径分布的半导体性单壁碳纳米管大量、直接控制生长，克服了现有化学和物理方法分离过程中对单壁碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂、而直接制备技术中样品量少、直径分布较宽、且直径较小等问题。
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公开(公告)号：CN102320593A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110253414.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法，以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体，在高的氢气载气流量下，生长出高抗氧化性碳纳米管，同时通过调控加入硫生长促进剂的量，实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长，获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管，单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90％以上，单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃。本发明获得结晶度高、结构缺陷少、纯度高的单/双壁碳纳米管，具有优异的导电性、高弹性、高强度等特性，可望在透明导电薄膜及其相关器件上获得应用。
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公开(公告)号：CN102277607A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110235784.2
申请日：2011-08-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及阳极氧化铝膜的制备技术，具体为一种制备小孔径、超薄、孔径和厚度可控的通孔阳极氧化铝膜的方法。以高纯铝为阳极，在硫酸的电解液中施加一定的恒压直流电源进行阳极氧化，选择适当的阴阳极间电压、电解液浓度、电解液温度及阳极氧化时间，反应后将带有铝基体的阳极氧化铝作为阳极，置于高氯酸和丙酮的混合液中，在高于阳极氧化电压5-15V的电压下阳极电解处理，使氧化铝膜与铝基体分离且同时去除阻挡层，从而得到小孔径、孔径和厚度可控且通孔的阳极氧化铝膜。本发明实现了小孔径、通孔阳极氧化铝膜的大量、简单、无损、均匀、规模制备，解决了目前无法获得小直径、超薄、通孔阳极氧化铝膜的技术难题。
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公开(公告)号：CN101745434B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200810229969.0
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B01J37/00 , B01J37/08 , B01J23/745 , B01J21/18 , B01J35/00
Abstract: 本发明涉及氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内的选择性填充，具体为一种氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内选择性填充、氧化铁颗粒填充量和尺寸精确可控的方法和填充复合物的用途。以具有规则孔结构的阳极氧化铝膜为模板，通过化学气相沉积法在模板上均匀沉积炭层，得到阳极氧化铝膜/碳的复合物；把复合物放入硝酸铁溶液中，室温下超声震荡，取出阳极氧化铝膜/碳的复合物，干燥后在保护气氛下处理，将硝酸铁分解成氧化铁，然后去除阳极氧化铝模板，最后获得氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内选择性填充的纳米碳管。氧化铁颗粒选择性填充在纳米碳管中空管腔，氧化铁颗粒重量含量在5-70％之间精确均匀可控，氧化铁颗粒尺寸在1-10纳米可控。
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