公开(公告)号：CN112624616B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202110013145.5

申请日：2021-01-06

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 赵岩 ,  赵青 ,  孔雯雯 ,  常爱民 ,  何东林 ,  吴兵

IPC: C03C8/24

Abstract: 本发明涉及一种耐高温真空热敏电阻器封装用玻璃陶瓷材料及其制备方法，该材料充分利用玻璃陶瓷的性能优势，提升耐高温真空热敏电阻器的高温稳定性和耐热冲击性能，提高耐高温真空热敏电阻器的可靠性和服役寿命。同时，利用玻璃陶瓷的形成机制，可在温度900℃烧结形成玻璃陶瓷的同时实现封装成型，简化了封装工艺，提高封装质量和产品的一致性，对完成航天用户新的需求指标、研制国际先进水平的耐高温真空热敏电阻器有重要的现实意义。

公开(公告)号：CN112802648A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202110034520.4

申请日：2021-01-12

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 王军华 ,  姚金城 ,  王兵 ,  孔雯雯 ,  常爱民

IPC: H01C7/04

Abstract: 本发明涉及一种基于高熵氧化物的热敏电阻及其制备方法，所述热敏电阻是由钴、锰、镍、铁、锌五种元素的氧化物组成，经高温固相化学反应制备单一尖晶石相高熵氧化物粉体材料，然后将粉体预压成型、等静压、烧结、切片、热处理、制作电极、划片、封装，制成NTC热敏电阻，该电阻值（25℃）为6.5–12KΩ·cm材料常数B值为3500–3800 K，材料常数B值和阻值一致性较高、互换性能较好，在温度125℃下老化1000h后，电阻漂移率小于0.05%，能大幅提升NTC热敏电阻的稳定性，可以长期应用于海水温度测量与控制。

公开(公告)号：CN112110727A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202011000529.5

申请日：2020-09-22

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 张惠敏 ,  桑旭 ,  常爱民

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种氟化物掺杂的高温负温度系数热敏电阻材料及制备方法，该材料是由Sm2O3,La2O3和PrF3为原料，分别按化学通式La1‑xPrxSmO3进行称量混合，其中X=0‑0.9，通过球磨、煅烧、研磨、成型、高温烧结制得高温负温度系数热敏电阻材料。通过添加PrF3粉体实现LaSmO3样品测试温区扩展，具有制备工艺简单；热敏电阻材料的灵敏度B值随着测试温度的增加而增大；该材料在测温区间内为低电阻值高B值材料，适用于温度报警器以及工业生产温度检测领域。从而克服了在高温热敏元件灵敏度较低的核心问题。

公开(公告)号：CN109256246B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201811430897.6

申请日：2018-11-28

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 张惠敏 ,  马盼飞 ,  姜辉 ,  常爱民

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明涉及一种含钙四元系负温度系数热敏电阻材料及其制备方法，该电阻材料是以锰、钴、镍和钙的氧化物为原料，采用超声辅助湿法球磨制备粉体材料，粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结制成。本发明采用二价碱土金属Ca离子与Co、Mn、Ni离子掺杂，显著降低材料的B值及电阻率，该材料晶粒小且均匀、致密度好，电学参数为B25/50＝3077‑3769K±0.5%，ρ25℃＝1808‑7227Ω·cm±3%。具有参数可调性强，设备工艺简单，操作方便，一致性好等优点，该四元系材料在（‑100℃‑100℃）范围具有明显负温度系数特性，有望应用于测量温区较宽的汽车用热敏电阻器及冰箱、空调等的温度测量、控制和线路补偿。

公开(公告)号：CN110698189A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201911117201.9

申请日：2019-11-15

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 张惠敏 ,  常爱民 ,  范庆梅 ,  孙家林 ,  王强 ,  刘思学 ,  代树武

IPC: C04B35/36 ,  C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明公开了一种镧离子掺杂的深低温热敏电阻材料及制备方法，该电阻材料以锰、镍、铁、镧的氧化物为原料，采用固相法进行制备，将混合后的粉体经过煅烧、研磨、烧结制得。与市面上现有的NTC热敏电阻相比，该电阻材料可以在15 K条件下工作。其电性能参数为：R70K=160 KΩ∙cm，R90K=680 KΩ∙cm。测温区间在15 K-280 K之间，解决了低温热敏电阻测温范围较窄，应用范围不够广泛的问题。由该材料制得的热敏电阻期间可以应用于航空航天等深低温领域。

公开(公告)号：CN107140977B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201710350950.0

申请日：2017-05-18

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 张惠敏 ,  陈明星 ,  刘婷 ,  姜辉 ,  常爱民

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/626 ,  C04B35/42 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01C7/04 ,  G01K7/22

Abstract: 本发明涉及一种钡掺杂铬酸镧包覆钇稳定氧化锆负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法，该方法内部核是具有高电阻值的高阻相钇稳定氧化锆（YSZ）材料，外部壳是具有低电阻率和低热敏常数的低阻相LaBaCrO材料，核和壳分别通过以氧氯化锆的八水化合物、硝酸钇的六水化合物、氨水；三氧化二镧、三氧化二铬和碳酸钡为原料，经过研磨、煅烧、研磨、复合压块成型、冷等静压成型、高温烧结，即可得到LaBaCrO‑YSZ包覆结构的热敏陶瓷，其材料常数B‑75℃/‑50℃的范围为(1700‑3500)×(1±2%)K，温度‑50℃电阻值的范围为(15‑3132)×(1±2%)Ω。采用本发明制备的钡掺杂的铬酸镧包覆氧化钇稳定氧化锆热敏陶瓷材料具有负温度系数特性，电性能稳定，一致性较好，适合制造中低温下宽温区环境中的热敏电阻器。

公开(公告)号：CN108550450B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201810354452.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 孔雯雯 ,  王倩 ,  常爱民 ,  姚金城

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/075 ,  H01C17/08

Abstract: 本发明公开了一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜的制备方法，该方法首先在硅衬底表面制备绝热缓冲层；然后再绝热缓冲层表面制备二氧化硅绝缘层；最后在二氧化硅绝缘层表面制备热敏薄膜，即得到具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜。其中所述的绝热缓冲层是在硅片表面生长硅柱、硅球或硅棒，从而形成具有不同结构特点的多孔硅基结构，利用孔隙内部储存的空气，实现热敏薄膜与硅衬底之间热绝缘的作用，使得热敏薄膜整体热容量和热耗散减小，加快热敏电阻的响应时间，可被研制成具有快响应特点的微型热敏电阻器，非常适用于快响应温度监测领域。

公开(公告)号：CN110451960A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910909120.6

申请日：2019-09-25

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 张惠敏 ,  李晓卉 ,  常爱民

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及一种钕掺杂的白钨矿结构负温度系数热敏电阻材料及其制备方法，该材料以CaCO3、CeO2、Nb2O5、WO3和Nd2O3为原料，经过混合研磨、煅烧、研磨、冷等静压成型、高温烧结，即可得到Ca1-xNdxCeNbWO8热敏电阻陶瓷材料，其中0≤x≤0.9，其电性能参数为：B25℃/50℃=4052-6563K±6%,ρ25℃=0.102-1.76×109Ω·cm±7%，500℃高温老化500h后阻值变化率在±6.19%以内。采用本发明制备的钕掺杂的白钨矿结构负温度系数热敏电阻材料在温度区间0℃-600℃内具有明显的负温度系数特性，材料体系电性能稳定，一致性较好，老化性能稳定，是一种适合制造用于宽温区热敏电阻器的新型热敏电阻材料。

公开(公告)号：CN109485402A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811533637.1

申请日：2018-12-14

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 姚金城 ,  王兵 ,  王军华 ,  常爱民

IPC: C04B35/32 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01C7/04 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明提供了一种改善锰钴铁基热敏陶瓷烧结性的方法，该方法以过渡金属氧化物三氧化二钴、四氧化三锰和三氧化二铁为主要原材料，通过添加微量烧结助剂三氧化二铋，经固相反应法制得粉体材料，最终经成型及烧结工艺制得锰钴铁基热敏陶瓷材料。采用本发明所述方法获得的热敏电阻陶瓷体能够大大的促进晶体的结晶性、并大大降低烧结温度。该材料常数B25/50为3695-3730K，室温电阻率ρ25值为656-894Ω·cm，具有良好的热敏性和一致性，可广泛应用于高精度仪表等电子元器件的温度测量及控制方面。

公开(公告)号：CN109456059A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811460600.0

申请日：2018-12-01

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 赵青 ,  马琦璐 ,  何东林 ,  常爱民

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及一种锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法，该方法材料结构由上层结构为低阻相的锰酸镧与氧化钇的复合相和下层结构高阻相的氧化钇双层结构组成，通过以碳酸锰，氧化镧，氧化钇为原料，经过研磨、煅烧、研磨、压块成型、冷等静压成型、高温烧结，即得到锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料，其材料常数B500-800℃的范围为(9738-18937)×(1±2%)K，温度800℃电阻值的范围为(0.26-1.34)×(1±2%)MΩ。采用本发明制备的锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷具有负温度系数特性，材料体系电性能稳定，一致性较好，适合制造用于高温下宽温区环境连续测温的热敏电阻器。