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公开(公告)号：CN116895608A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310681240.1
申请日：2019-03-07
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L23/29 , C23C24/04 , G01N27/62 , G01N23/203 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN116895607A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310681234.6
申请日：2019-03-07
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L23/29 , C23C24/04 , G01N27/62 , G01N23/203 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN110246811A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910171153.5
申请日：2019-03-07
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L23/29 , C04B41/87 , C23C24/04 , G01N23/203 , G01N27/62
Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113582678B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110485141.7
申请日：2021-04-30
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B41/87 , H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。具体而言，具备：基材；及设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面的结构物，所述结构物作为主成分而含有钇及铝的氧化物，用下述式(1)：a＝d·(h2+k2+l2)1/2…(式1)(式1中，d为晶格间距，(hkl)为密勒指数)算出的晶格常数a大于 的复合结构物具有出色的抗粒子性，优选作为半导体制造装置用构件而被使用。
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公开(公告)号：CN113582678A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110485141.7
申请日：2021-04-30
Applicant: TOTO株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B41/87 , H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。具体而言，具备：基材；及设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面的结构物，所述结构物作为主成分而含有钇及铝的氧化物，用下述式(1)：a＝d·(h2+k2+l2)1/2…(式1)(式1中，d为晶格间距，(hkl)为密勒指数)算出的晶格常数a大于的复合结构物具有出色的抗粒子性，优选作为半导体制造装置用构件而被使用。
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公开(公告)号：CN116884926A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310681163.X
申请日：2019-03-07
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L23/29 , C23C24/04 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN110246811B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910171153.5
申请日：2019-03-07
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L23/29 , C04B41/87 , C23C24/04 , G01N23/203 , G01N27/62
Abstract: 本发明提供一种抗粒子性出色的陶瓷涂层以及评价陶瓷涂层的抗粒子性的方法。具体而言，是一种包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物的复合结构物，结构物包含多结晶陶瓷，将通过TEM图像解析算出的亮度Sa满足规定值的复合结构物，可作为要求具有抗粒子性的半导体制造装置的内部构件而适当加以使用。
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公开(公告)号：CN113582726A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110485046.7
申请日：2021-04-30
Applicant: TOTO株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件而加以使用的复合结构物以及具备其的半导体制造装置。具体而言，是包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物的复合结构物，所述结构物作为主成分而含有Y3Al5O12，而且其压痕硬度大于8.5GPa的复合结构物的抗粒子性比较出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。
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