公开(公告)号：CN1108016A

公开(公告)日：1995-09-06

申请号：CN94112798.2

申请日：1994-12-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤城义和 ,  原田拓 ,  石垣高哉

IPC: H03H7/00 ,  H01G4/38

CPC classification number: H01G4/35

Abstract: 为了使多层穿心式电容器阵列的各穿心式电容器单元间的电容性耦合的交调失真减小，在构成多层穿心式电容器阵列的各电极间的介质薄片没有中心导体的位置上，形成填充导体的通孔，通过使在通孔中填充的导体作电连接，进行穿心式电容器间静电屏蔽，电连接是依靠在穿心式电容器单元的外部或内部形成的导电层实现。

公开(公告)号：CN1062377C

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN94112798.2

申请日：1994-12-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤城义和 ,  原田拓 ,  石垣高哉

IPC: H01G4/30

CPC classification number: H01G4/35

Abstract: 为了使多层穿心式电容器阵列的各穿心式电容器单元间的电容性耦合的交调失真减小，在构成多层穿心式电容器阵列的各电极间的介质薄片没有中心导体的位置上，形成填充导体的通孔，通过使在通孔中填充的导体作电连接，进行穿心式电容器间静电屏蔽，电连接是依靠在穿心式电容器单元的外部或内部形成的导电层实现。