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公开(公告)号:CN105322441A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510732461.2
申请日:2012-05-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05F3/04 , H01G4/40 , H01T2/00 , H01T4/12 , H05K9/0067 , H05K9/0079
Abstract: 本发明提供一种静电保护部件。该静电保护部件(1)具备层叠有多层陶瓷基板(2)的基体(3)、形成于基体(3)内并且隔开间隔而相互相对的一对放电电极(4A、4B)。放电电极(4A、4B)具有沿着长边方向(D1)延伸的主体部(11A、11B),各个主体部(11A、11B)具有在长边方向(D1)上的前端(12A、12B)、沿着长边方向(D1)延伸的侧缘(14A、14B)。一对放电电极(4A、4B)是以两主体部(11A、11B)在短边方向(D2)上相邻的方式配置。放电电极(4A、4B)在短边方向(D2)上在侧缘(14A)和侧缘(14B)相对,在放电电极(4A)与放电电极(4B)之间仅在侧缘(14A)与侧缘(14B)之间放电。
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公开(公告)号:CN111484322B
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN201911375974.7
申请日:2019-12-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F27/24
Abstract: 本发明得到电感特性被改善、比电阻和导磁率μ′高、直流叠加特性和交流电阻也良好的铁氧体组合物等。一种具有主成分和副成分的铁氧体组合物,其中,作为主成分,含有以Fe2O3换算为10.0~38.0摩尔%的Fe的化合物、以CuO换算为3.0~11.0摩尔%的Cu的化合物、以ZnO换算超过39.0摩尔%且80.0摩尔%以下的Zn的化合物、和作为剩余部分的Ni的化合物。相对于主成分100重量份,作为副成分,含有以SiO2换算为10.0~23.0重量份的Si的化合物、以Co3O4换算为0~3.0重量份的Co的化合物、以Bi2O3换算为0.1~3.0重量份的Bi的化合物。
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公开(公告)号:CN110041062A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910027035.7
申请日:2019-01-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 本发明提供一种可以在900℃左右下烧成且具有高的导磁率及高的居里温度(Tc)的铁氧体材料及使用其的电子部件。一种铁氧体烧结体,其具有主成分和副成分,所述主成分由以Fe2O3换算为48.65~49.45摩尔%的氧化铁、以CuO换算为2~16摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为28.00~33.00摩尔%的氧化锌、剩余部分为氧化镍构成,作为所述副成分,相对于所述主成分100重量份,含有以B2O3换算为5~100ppm的氧化硼,且平均结晶粒径为2~30μm。
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公开(公告)号:CN104752956B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410834777.8
申请日:2014-12-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05F3/04 , H01T4/12 , H05K9/0067
Abstract: 静电保护部件具备以隔着间隙相对的方式被配置的第一和第二放电电极、与第一和第二放电电极接触并且将第一和第二放电电极相互连接的放电诱发部。放电诱发部具有金属颗粒、含有玻璃的陶瓷材料、具有比该陶瓷材料高的介电常数的电介质材料。以陶瓷材料和电介质材料的总计体积作为基准,电介质材料的含量百分比为7.5~40体积%。
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公开(公告)号:CN119069235A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202410501909.9
申请日:2024-04-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 层叠线圈部件(1)具备:素体(2),其包含多个软磁性材料的金属磁性颗粒(P);以及至少两个导体,其与素体(2)接触,多个金属磁性颗粒(P)各自的表面被具有绝缘性的氧化膜(M)覆盖,在两个导体中的至少一个导体中,在该导体的表面的至少一部分形成有具有绝缘性的绝缘部(20),绝缘部(20)的厚度比氧化膜(M)的厚度大。
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公开(公告)号:CN111484323B
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202010074082.X
申请日:2020-01-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26 , H01F27/255
Abstract: 本发明得到特别是直流叠加特性和交流电阻良好的铁氧体组合物等。该铁氧体组合物包含由尖晶石铁氧体构成的主相颗粒、第一副相颗粒、第二副相颗粒和粒界。主相颗粒的至少一部分具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分。具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分的主相颗粒存在10%以上。第一副相颗粒含有Zn2SiO4。第二副相颗粒含有SiO2。第一副相颗粒与第二副相颗粒的合计面积比例为30.5%以上。
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公开(公告)号:CN106045493B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201610196723.2
申请日:2016-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/30 , C04B35/28 , H01F1/113 , H01F27/245
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体组合物和电子部件,主成分由以Fe2O3换算为26~46摩尔%的氧化铁、以CuO换算为4~14摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~26摩尔%的氧化锌、以及剩余部分的以NiO换算为40.0摩尔%以上的氧化镍构成。相对于100重量份的主成分,含有以SiO2换算为0.8~10.0重量份的硅化合物、以Co3O4换算为1.0~15.0重量份的钴化合物、以及以Bi2O3换算为0.7~30.0重量份的铋化合物来作为副成分。以Co3O4换算后的钴化合物的含量除以以SiO2换算后的硅化合物的含量后的值为0.4~5.5。
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公开(公告)号:CN107879736B
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201710879832.9
申请日:2017-09-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种初始磁导率、比电阻、频率特性及温度特性良好的铁氧体组合物以及使用了上述铁氧体组合物的电子部件。本发明为一种具有主成分和副成分的铁氧体组合物。主成分由以Fe2O3换算为18~30摩尔%的氧化铁、以CuO换算为4~14摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~6摩尔%的氧化锌、余量为氧化镍构成。相对于主成分100重量份,作为副成分,含有以SiO2换算为0.30~1.83重量份的硅化合物、以Co3O4换算为2.00~10.00重量份的钴化合物、以Bi2O3换算为1.00~3.00重量份的铋化合物。用以Co3O4换算的钴化合物的含量除以以SiO2换算的硅化合物的含量所得的值为5.5~30.0。
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公开(公告)号:CN111484323A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN202010074082.X
申请日:2020-01-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26 , H01F27/255
Abstract: 本发明得到特别是直流叠加特性和交流电阻良好的铁氧体组合物等。该铁氧体组合物包含由尖晶石铁氧体构成的主相颗粒、第一副相颗粒、第二副相颗粒和粒界。主相颗粒的至少一部分具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分。具有50nm以上的Zn浓度在从颗粒表面朝向颗粒中心部的方向上单调减少的部分的主相颗粒存在10%以上。第一副相颗粒含有Zn2SiO4。第二副相颗粒含有SiO2。第一副相颗粒与第二副相颗粒的合计面积比例为30.5%以上。
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公开(公告)号:CN107879736A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201710879832.9
申请日:2017-09-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/344 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/94 , H01F17/0013 , H01F41/046 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B2235/96 , H01F1/01 , H01F27/24
Abstract: 本发明提供一种初始磁导率、比电阻、频率特性及温度特性良好的铁氧体组合物以及使用了上述铁氧体组合物的电子部件。本发明为一种具有主成分和副成分的铁氧体组合物。主成分由以Fe2O3换算为18~30摩尔%的氧化铁、以CuO换算为4~14摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~6摩尔%的氧化锌、余量为氧化镍构成。相对于主成分100重量份,作为副成分,含有以SiO2换算为0.30~1.83重量份的硅化合物、以Co3O4换算为2.00~10.00重量份的钴化合物、以Bi2O3换算为1.00~3.00重量份的铋化合物。用以Co3O4换算的钴化合物的含量除以以SiO2换算的硅化合物的含量所得的值为5.5~30.0。
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