公开(公告)号：CN116449073A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310066123.4

申请日：2023-01-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 冈祯一郎 ,  平野裕幸 ,  毛受良一 ,  高桥真 ,  木槫隼人

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明的电流传感器具备磁检测部和第一软磁体。磁检测部被施加第二方向的磁通量，第二方向的磁通量由沿着第一方向流过导体的电流产生。第一软磁体具有底部、第一壁部和第二壁部，底部位于在与第一方向正交的第三方向上从磁检测部看与导体相反的一侧，第一壁部和第二壁部各自立设于底部且在第二方向上夹着导体和磁检测部对置。

公开(公告)号：CN115932670A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211095696.1

申请日：2022-09-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平野裕幸 ,  高桥真 ,  毛受良一 ,  冈祯一郎 ,  木槫隼人

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/04 ,  G01R15/20 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其能够校正来自软磁性体的残留磁通引起的磁滞误差，并包括包含第一软磁性体和第二软磁性体的软磁性体、以及利用被施加的检测磁通来检测物理量的磁检测部，磁检测部包含第一磁检测部和第二磁检测部。检测磁通包含施加在第一磁检测部的第一检测磁通和施加在第二磁检测部的第二检测磁通，从软磁性体产生的残留磁通包含能够施加在第一磁检测部的第一残留磁通和能够施加在第二磁检测部的第二残留磁通。第一和第二磁检测部配置在第一残留磁通相对于第一检测磁通之比与第二残留磁通相对于第二检测磁通之比不同的位置，基于来自第一和第二磁检测部的第一和第二输出值之差，获取校正了残留磁通引起的磁滞误差的校正物理量。