公开(公告)号：CN114334352B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202111126876.7

申请日：2021-09-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 奥村武史 ,  川村浩司 ,  筒井秀德 ,  一瀬健一 ,  广瀬太一 ,  名取光夫 ,  矢﨑恭兵 ,  岛田昭二

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/28 ,  H01F27/34

Abstract: 本发明的问题为：在具备三个平面螺旋线圈的线圈部件中，防止因寄生电容引起的高频特性的恶化。本发明的线圈部件(1)具备：形成于导体层(10)的平面螺旋线圈(C1a、C3a)；形成于导体层(20)的平面螺旋线圈(C2a)；形成于导体层(30)的平面螺旋线圈(C1b、C3b)；形成于导体层(40)的平面螺旋线圈(C2b)。平面螺旋线圈(C2a)的图案宽度(W2a)比平面螺旋线圈(C2b)的图案宽度(W2b)窄。由此，降低在导体层(20)和导体层(30)之间产生的寄生电容，因此，与现有的线圈部件相比，可以提高模式转换特性等高频特性。

公开(公告)号：CN114334352A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111126876.7

申请日：2021-09-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 奥村武史 ,  川村浩司 ,  筒井秀德 ,  一瀬健一 ,  广瀬太一 ,  名取光夫 ,  矢﨑恭兵 ,  岛田昭二

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/28 ,  H01F27/34

Abstract: 本发明的问题为：在具备三个平面螺旋线圈的线圈部件中，防止因寄生电容引起的高频特性的恶化。本发明的线圈部件(1)具备：形成于导体层(10)的平面螺旋线圈(C1a、C3a)；形成于导体层(20)的平面螺旋线圈(C2a)；形成于导体层(30)的平面螺旋线圈(C1b、C3b)；形成于导体层(40)的平面螺旋线圈(C2b)。平面螺旋线圈(C2a)的图案宽度(W2a)比平面螺旋线圈(C2b)的图案宽度(W2b)窄。由此，降低在导体层(20)和导体层(30)之间产生的寄生电容，因此，与现有的线圈部件相比，可以提高模式转换特性等高频特性。