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公开(公告)号：CN1050464A
公开(公告)日：1991-04-03
申请号：CN90108581.2
申请日：1987-07-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种其介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可 钎焊性和抗拉强度优异的边界层型钛酸锶系半导体 陶瓷电容器的制造方法。该电容器有一个由该钛酸 锶系组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面涂上 主要含锌和铝粉的导电糊料，经烘焙形成为有第一导 电层，再在第一导电层上涂上主要含铜粉的导电糊 料，经烘焙形成为第二导电层。
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