公开(公告)号：CN1956307A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610136680.5

申请日：2006-10-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 今井考一 ,  五木田刚男

IPC: H02M3/155 ,  H02M3/156 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M1/32 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 一种DC－DC转换器(100)，具有开关电路(40)，该开关电路在高侧和低侧包括开关元件(41，42)，连接至所述开关电路(40)输出端子的电感(L51)，连接至所述电感(L51)的平波电容(C51)，向所述开关元件(41，42)提供开关脉冲的开关控制电路(10，20，30)，以及一个电路(70)。该电路(70)检测一种状态维持一预定的时间段，在该状态，位于高侧的开关元件(41)关闭，而位于低侧的开关元件(42)打开。在这种情况下，电路(70)强制关断位于低侧的开关元件(42)。

公开(公告)号：CN115993561A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211272375.4

申请日：2022-10-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井崇人 ,  五木田刚男

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供可高灵敏度地检测低频区域的磁场的改良了的磁传感器。磁传感器(1)具备：经由磁隙(G1)沿x方向排列且具有环状结构的磁性体结构物(10、20)；配置于由磁隙(G1)形成的磁路上且将x方向设为灵敏度轴方向的感磁元件(R1)；卷绕于磁性体结构物(10)的励磁线圈(C1、C2)；卷绕于磁性体结构物(20)的励磁线圈(C1、C2)。由此，磁性体结构物(10、20)的集磁能力由于流过励磁线圈(C1～C4)的电流而变化。因此，如果向励磁线圈(C1～C4)流过具有规定的频率的电流，则以规定的频率调制从感磁元件(R1)输出的检测信号。由此，可高灵敏度地检测低频区域的磁场。

公开(公告)号：CN112005126A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980023034.3

申请日：2019-03-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 五木田刚男

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种即使作为测量对象的磁场微弱，也能够通过闭环控制检测磁场的磁传感器。本发明的磁传感器具备：磁性体层(41、42)，其经由磁隙(G1)而互相相对；磁敏元件(R1)，其配置于由磁隙(G1)形成的磁路上；以及补偿线圈(60)，其生成抵消施加于磁敏元件(R1)的磁通 的抵消磁通。根据本发明，由于作为磁轭发挥功能的磁性体层(41、42)中流通的磁通 施加于磁敏元件(R1)，因此即使作为测量对象的磁场微弱，也能够进行检测。此外，由于具备抵消磁通 的补偿线圈(60)，因此也能够进行闭环控制。

公开(公告)号：CN100530918C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610136680.5

申请日：2006-10-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 今井考一 ,  五木田刚男

IPC: H02M3/155 ,  H02M3/156 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M1/32 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 一种DC-DC转换器(100)，具有开关电路(40)，该开关电路在高侧和低侧包括开关元件(41，42)，连接至所述开关电路(40)输出端子的电感(L51)，连接至所述电感(L51)的平波电容(C51)，向所述开关元件(41，42)提供开关脉冲的开关控制电路(10，20，30)，以及一个电路(70)。该电路(70)检测一种状态维持一预定的时间段，在该状态，位于高侧的开关元件(41)关闭，而位于低侧的开关元件(42)打开。在这种情况下，电路(70)强制关断位于低侧的开关元件(42)。

公开(公告)号：CN1991319A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156576.2

申请日：2006-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 千里内忠雄 ,  五木田刚男

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G05F3/30 ,  G01D3/036 ,  G01K7/015

Abstract: 本发明涉及一种温度检测电路，其特征是，具备生成温度依存电压(VR)的温度依存电压生成电路(3)、生成非温度依存电压(VBG)的带隙电路(2)、对由所述温度依存电压(3)生成电路生成的温度依存电压(VR)和由所述带隙电路(2)生成的非温度依存电压(VBG)进行比较并基于所述比较的结果输出表示所述温度依存电压(VR)与所述非温度依存电压(VBG)的高低关系的温度检测信号的比较电路(4)，其中，所述带隙电路(2)具有：源极连接在所述比较电路(4)的输入端子，提供具有正的温度特性的电流的N沟道晶体管和使所述N沟道晶体管的源极的电位成为不依存于所述测定对象物的温度的一定的电位的驱动所述N沟道晶体管的栅极的放大器(41)。