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公开(公告)号：CN101379885A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004252.X
申请日：2007-02-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5092 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/26
Abstract: 本发明涉及一种制备有机发光器件的方法，以及由该方法制备的有机发光器件，所述制备有机发光器件的方法包括步骤：在基板上顺序形成由金属形成的第一电极、一层或多层包括发光层的有机材料层，以及第二电极，所述方法包括步骤：在形成有机材料层前，使用氧化速度比第一电极高的金属在第一电极上形成层。
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公开(公告)号：CN103996793A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410242794.2
申请日：2009-01-23
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1044 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5353
Abstract: 本发明提供了一种有机发光器件及其制备方法。该有机发光器件包括依次层叠的基板、第一电极、两个以上的有机材料层、和第二电极，其中，所述有机材料层包括发光层，且在所述有机材料层中，与第二电极接触的有机材料层包含金属氧化物。
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公开(公告)号：CN101496192B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780028751.2
申请日：2007-07-25
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种制备有机发光器件的方法，采用该方法制备的有机发光器件以及包括该有机发光器件的电子器件。所述方法包括：(a)在下电极上形成绝缘层，(b)蚀刻该绝缘层以形成从所述绝缘层的上表面延伸至下电极的开孔从而形成最下周长大于最上周长的外伸结构，(c)在所述开孔内的下电极的上表面和除所述外伸结构外的绝缘层的表面形成导电层，(d)在所述导电层上形成有机材料层，该导电层形成于所述开孔内的下电极的上表面，以及(e)在所述导电层的上表面和有机材料层的上表面形成上电极，该导电层设置在所述绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN101496192A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028751.2
申请日：2007-07-25
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种制备有机发光器件的方法，采用该方法制备的有机发光器件以及包括该有机发光器件的电子器件。所述方法包括：(a)在下电极上形成绝缘层，(b)蚀刻该绝缘层以形成从所述绝缘层的上表面延伸至下电极的开孔从而形成最下周长大于最上周长的外伸结构，(c)在所述开孔内的下电极的上表面和除所述外伸结构外的绝缘层的表面形成导电层，(d)在所述导电层上形成有机材料层，该导电层形成于所述开孔内的下电极的上表面，以及(e)在所述导电层的上表面和有机材料层的上表面形成上电极，该导电层设置在所述绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN101438627A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016582.0
申请日：2007-05-10
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供了一种包括在基板上依次层叠由金属制成的第一电极、一层或多层有机材料层和第二电极的步骤的有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件，其中，所述方法包括以下步骤：1)在形成所述有机材料层之前，用氧化速率比第一电极高的金属在第一电极上形成层；2)用氧等离子体处理所述用氧化速率比第一电极高的金属形成的层以形成金属氧化层；和3)用惰性气体等离子体处理所述金属氧化层以除去在第一电极上的本征氧化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101669210B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200880013494.X
申请日：2008-04-25
Applicant: LG化学株式会社
Inventor： 李政炯
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/78618
Abstract: 本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言，本发明涉及一种包括作为源极和漏极的含有Si、Mo和W中一种以上元素的氧化锌(ZnO系列)电极的薄膜场效应晶体管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101379885B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780004252.X
申请日：2007-02-02
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5092 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/26
Abstract: 本发明涉及一种制备有机发光器件的方法，以及由该方法制备的有机发光器件，所述制备有机发光器件的方法包括步骤：在基板上顺序形成由金属形成的第一电极、一层或多层包括发光层的有机材料层，以及第二电极，所述方法包括步骤：在形成有机材料层前，使用氧化速度比第一电极高的金属在第一电极上形成层。
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公开(公告)号：CN101438627B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200780016582.0
申请日：2007-05-10
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供了一种包括在基板上依次层叠由金属制成的第一电极、一层或多层有机材料层和第二电极的步骤的有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件，其中，所述方法包括以下步骤：1)在形成所述有机材料层之前，用氧化速率比第一电极高的金属在第一电极上形成层；2)用氧等离子体处理所述用氧化速率比第一电极高的金属形成的层以形成金属氧化层；和3)用惰性气体等离子体处理所述金属氧化层以除去在第一电极上的本征氧化层。
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公开(公告)号：CN101669209A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013431.4
申请日：2008-04-25
Applicant: LG化学株式会社
Inventor： 李政炯
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言，本发明涉及一种包含含有Si的氧化锌材料作为半导体层的沟槽材料的薄膜场效应晶体管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101405366A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009230.2
申请日：2007-03-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K11/06
CPC classification number: H01L51/5234 , H01L51/5092 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明公开了一种制备有机发光器件的方法及使用该方法制备的有机发光器件。该方法包括在基板上顺序形成由金属制成的阴极、至少一层包括发光层的有机材料层和阳极的步骤，并且该方法另外包括在形成有机材料层之前在阴极上自发形成的本征氧化层上形成金属薄膜的步骤。
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