公开(公告)号：CN1525912A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02813884.8

申请日：2002-04-18

Applicant: CP菲林公司

Inventor： H·梅马里安 ,  H·帕特尔

IPC: B32B7/02

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022475 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/1036 ,  Y10T428/105 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/24942

Abstract: 包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置，该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进，该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠，其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含1－99原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或者通过溅射镀膜来制作的。优选的是包含多个铟锡氧化物层的薄膜被施加到透明柔性衬底上诸如聚合物板。在该装置中可以包括任选的底层、硬镀膜层和上镀膜层。

公开(公告)号：CN100430217C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN02813884.8

申请日：2002-04-18

Applicant: CP菲林公司

Inventor： H·梅马里安 ,  H·帕特尔

IPC: B32B7/02

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022475 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/1036 ,  Y10T428/105 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/24942

Abstract: 包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置，该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进，该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠，其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含1-99原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或者通过溅射镀膜来制作的。优选的是包含多个铟锡氧化物层的薄膜被施加到透明柔性衬底上诸如聚合物板。在该装置中可以包括任选的底层、硬镀膜层和上镀膜层。