公开(公告)号：CN116783259A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180090961.4

申请日：2021-12-20

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 竹中聪史 ,  小寺省吾 ,  长谷川哲也

IPC: C09J7/38

Abstract: 一种膜，其依次具备基材、基底层和粘接层，上述基底层包含(甲基)丙烯酸聚合物与固化剂的反应固化物，通过拉伸试验在25℃、速度100mm/分钟下测定且由下式求得的上述基底层的伸长率为90％以上：伸长率(％)＝(断裂时的伸长度(mm))×100/(拉伸前的夹具间距离(mm))，以及使用了该膜的半导体封装体的制造方法。

公开(公告)号：CN116867645A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180094409.2

申请日：2021-12-15

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小寺省吾 ,  竹中聪史 ,  长谷川哲也 ,  八百板隆俊 ,  森野正行 ,  徳永未央 ,  早坂由起

IPC: B32B27/00

Abstract: 本公开提供一种膜、所述膜的制造方法以及使用了所述膜的半导体封装件，其中，所述膜至少具备基材和防静电层，并且具备以下特征：25℃下单轴拉伸300％后进行胶带剥离试验时的剥离面积的比例小于5％；或者25℃下单轴拉伸300％后进行擦拭试验时满足式(H2‑H1)≥0(H1为擦拭前的雾度、H2为擦拭后的雾度)；或者在通过X射线光电子能谱法进行的所述基材的所述防静电层侧的表面化学组成分析中，O/C在0.010～0.200的范围内或N/F在0.010～0.100的范围内。

公开(公告)号：CN106795301B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201580046141.X

申请日：2015-08-27

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 有贺广志 ,  长谷川哲也 ,  增田翔 ,  樋口義明

IPC: C08J5/18 ,  B29C48/885 ,  B29C48/07 ,  B29L7/00 ,  B29K27/12

Abstract: 本发明提供通过挤出成形法连续地制造的、机械强度和外观优良的乙烯－四氟乙烯共聚物片材及其制造方法。本发明是一种乙烯－四氟乙烯共聚物片材及其制造方法，该乙烯－四氟乙烯共聚物片材是被挤出成形的乙烯－四氟乙烯共聚物片材，其特征在于，R0/d(其中，R0是面内的相位差[单位:nm]，d是厚度[单位:nm])在3.0×10‑3以下，厚度大于300μm。