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发明公开
研磨用组合物及研磨方法无效

公开(公告)号：CN111574959A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010101939.2

申请日：2020-02-19

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 赤時正敏 , 高木靖之 , 加藤知夫

IPC: C09K3/14 , H01L21/48

Abstract: 提供研磨用组合物及研磨方法。提供在使用了钴、钌、钼等电阻低且可细线化的金属的、特别是使用这些金属作为埋入布线的半导体集成电路装置的布线形成用的CMP中所用的组合物中，不使用氧化剂且能以高的研磨速度对金属层进行研磨的研磨用组合物、和使用该研磨用组合物的研磨方法。一种研磨用组合物，其特征在于，含有规定的化合物(1)、氧化铈、和水，所述规定的化合物(1)在分子内具有S＝C

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