公开(公告)号：CN111373548A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075372.7

申请日：2018-08-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。

公开(公告)号：CN111406324A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076573.9

申请日：2018-10-30

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 细野秀雄 ,  金正焕 ,  方俊皓 ,  云见日出也 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  石桥奈央 ,  增茂邦雄 ,  中村伸宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0248 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。

公开(公告)号：CN110418773A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017832.0

申请日：2018-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通 ,  篠崎泰夫 ,  吉野晴彦 ,  远山一成 ,  大越雄斗

IPC: C04B35/00

Abstract: 本发明涉及一种透光性陶瓷烧结体，其以10个/mm3以上且4000个/mm3以下的范围包含孔径为1μm以上且不足5μm的气泡，并且闭孔率为0.01体积％以上且1.05体积％以下。这种透光性陶瓷烧结体中，厚度为1.90mm的试验片在波长500～900nm的可见光谱下的平均透过率为70％以上，并且厚度为1.90mm的试验片在0.5mm的光梳宽度下的清晰度为60％以上。

公开(公告)号：CN110418773B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880017832.0

申请日：2018-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通 ,  篠崎泰夫 ,  吉野晴彦 ,  远山一成 ,  大越雄斗

IPC: C04B35/00

Abstract: 本发明涉及一种透光性陶瓷烧结体，其以10个/mm3以上且4000个/mm3以下的范围包含孔径为1μm以上且不足5μm的气泡，并且闭孔率为0.01体积％以上且1.05体积％以下。这种透光性陶瓷烧结体中，厚度为1.90mm的试验片在波长500～900nm的可见光谱下的平均透过率为70％以上，并且厚度为1.90mm的试验片在0.5mm的光梳宽度下的清晰度为60％以上。

公开(公告)号：CN116848074A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014662.7

申请日：2022-02-25

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通

IPC: C04B35/195

Abstract: 本发明涉及一种堇青石质烧结体，含有属于由钙、镁、铝和硅构成的元素组M1的全部元素，以氧化物换算计，上述钙的含量为0.06质量％～3.40质量％，上述镁的含量为12.9质量％以上，除属于上述元素组M1的元素以外的金属元、即元素M2的含量为1.5质量％以下，所述堇青石质烧结体的气孔率为3.0体积％以下，四点弯曲强度为170MPa以上，威布尔系数为9.5以上。

公开(公告)号：CN108293281B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201680069408.1

申请日：2016-11-21

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  云见日出也 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/08 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。

公开(公告)号：CN109075205A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780014378.9

申请日：2017-02-23

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  AGC株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  云见日出也 ,  金正焕 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。