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公开(公告)号：CN116328797B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310369313.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112420830B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011409291.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
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公开(公告)号：CN116328797A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369313.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/057 , C01B3/04
Abstract: 本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β‑SnSe二维半导体层上，层与层之间存在真空层。其中，HfS2二维半导体层和β‑SnSe二维半导体层之间具有4种堆垛方式，形成的异质结材料为四方体结构。在该异质结材料中氧化反应和还原反应发生在不同的半导体层上，其带边电位受各半导体层真空能级的影响，氧化势和还原势不再有直接的关联，因此无需相差1.23eV的条件，因而对带隙没有要求，有助于增加光吸收，从而确保了其在光催化中的应用。计算结果表明，HfS2/β‑SnSe异质结材料的太阳能转化为氢气的效率(STH)可达14.29％，在商业上具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112420830A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011409291.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
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