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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113163578B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110262198.0
申请日：2021-03-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H05K1/02 , H05K1/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构和堆叠封装结构。极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构包括上PCB板和下PCB板。极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构的堆叠封装结构包括n个极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构；本发明提出了可用于Marx发生器的单模块3D母线结构和基于3D母线和互感相消原理的3D母线堆叠结构，可进一步降低Marx发生器功率回路寄生电感。
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公开(公告)号：CN117285605A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311264343.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于生物医药技术领域，具体涉及一种可阻断腺苷‑A2AR通路的蛋白及其应用。本发明提供一种蛋白，其氨基酸序列如SEQ ID NO:1所示。该蛋白能够有效阻断CD4+T细胞和CD8+T细胞的A2AR下游pCREB信号通路，促进抗肿瘤细胞因子IFN‑γ和TNF‑α的分泌，并抑制造成淋巴细胞免疫抑制的细胞因子IL‑10的分泌，在肿瘤治疗中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113163578A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110262198.0
申请日：2021-03-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H05K1/02 , H05K1/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构和堆叠封装结构。极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构包括上PCB板和下PCB板。极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构的堆叠封装结构包括n个极低寄生电感脉冲形成单模块封装结构；本发明提出了可用于Marx发生器的单模块3D母线结构和基于3D母线和互感相消原理的3D母线堆叠结构，可进一步降低Marx发生器功率回路寄生电感。
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公开(公告)号：CN113364443B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110260856.2
申请日：2021-03-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置，电路结构如下：上臂电感Ldr_h连接上桥臂漏极寄生电感LHd.int；所述上桥臂漏极寄生电感LHd.int串联开关管Q1的漏极；所述开关管Q1的栅极悬空；所述开关管Q1的源极串联上桥臂源极寄生电感LHs.int的一端；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联栅极电感Lg；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联下桥臂漏极寄生电感LLd.int后连接开关管Q2的漏极；所述开关管Q2的栅极悬空；所述开关管Q2的源极串联下桥臂源极寄生电感LLs.int；下桥臂源极寄生电感LLs.int连接下臂电感Ldr_s。本发明适用于使用SiC MOSFET作为主开关的脉冲功率系统。
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公开(公告)号：CN113364443A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110260856.2
申请日：2021-03-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置，电路结构如下：上臂电感Ldr_h连接上桥臂漏极寄生电感LHd.int；所述上桥臂漏极寄生电感LHd.int串联开关管Q1的漏极；所述开关管Q1的栅极悬空；所述开关管Q1的源极串联上桥臂源极寄生电感LHs.int的一端；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联栅极电感Lg；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联下桥臂漏极寄生电感LLd.int后连接开关管Q2的漏极；所述开关管Q2的栅极悬空；所述开关管Q2的源极串联下桥臂源极寄生电感LLs.int；下桥臂源极寄生电感LLs.int连接下臂电感Ldr_s。本发明适用于使用SiC MOSFET作为主开关的脉冲功率系统。
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