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公开(公告)号：CN102866368A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210200346.7
申请日：2012-06-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01R33/36
CPC classification number: G01R33/365 , G01R33/3621
Abstract: 本发明名称为“用于接收磁共振信号的系统和方法”。提供一种前置放大器（82），用于磁共振成像（MRI）系统（200）中的射频（RF）接收器线圈（102）。前置放大器包含放大器（142），配置为从RF接收器线圈接收至少一个磁共振（MR）信号并且配置为生成放大的MR信号。输入电路（144）电连接到放大器。输入电路配置为电连接到RF接收器线圈的输出（138），用于将至少一个MR信号从RF接收器线圈发送到放大器。输入电路包含阻抗变换器（146）和场效应晶体管（FET）（150）。FET电连接在阻抗变换器和放大器之间。FET具有FET阻抗。阻抗变换器配置为变换至少近似100欧姆的源阻抗。阻抗变换器还配置为将FET阻抗变换成小于近似5欧姆的前置放大器输入阻抗。
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公开(公告)号：CN102866368B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201210200346.7
申请日：2012-06-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01R33/36
CPC classification number: G01R33/365 , G01R33/3621
Abstract: 本发明名称为“用于接收磁共振信号的系统和方法”。提供一种前置放大器（82），用于磁共振成像（MRI）系统（200）中的射频（RF）接收器线圈（102）。前置放大器包含放大器（142），配置为从RF接收器线圈接收至少一个磁共振（MR）信号并且配置为生成放大的MR信号。输入电路（144）电连接到放大器。输入电路配置为电连接到RF接收器线圈的输出（138），用于将至少一个MR信号从RF接收器线圈发送到放大器。输入电路包含阻抗变换器（146）和场效应晶体管（FET）（150）。FET电连接在阻抗变换器和放大器之间。FET具有FET阻抗。阻抗变换器配置为变换至少近似100欧姆的源阻抗。阻抗变换器还配置为将FET阻抗变换成小于近似5欧姆的前置放大器输入阻抗。
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公开(公告)号：CN103064045B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210396961.X
申请日：2012-10-18
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01R33/34084 , G01R33/34007 , G01R33/3415 , G01R33/365 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明名称为：“用于磁性共振成像系统的射频（RF）线圈阵列”。一种射频（RF）线圈阵列，其包括RF线圈支撑结构以及与RF线圈支撑结构耦合的多个RF线圈，该RF线圈支撑结构配置成使多个RF线圈能够被定位成负重叠配置并且被重新定位至重叠配置。本文还描述了医学成像系统和制造RF线圈阵列的方法。
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公开(公告)号：CN103064045A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210396961.X
申请日：2012-10-18
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01R33/34084 , G01R33/34007 , G01R33/3415 , G01R33/365 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明用于磁性共振成像系统的射频（RF）线圈阵列。一种射频（RF）线圈阵列，其包括RF线圈支撑结构以及与RF线圈支撑结构耦合的多个RF线圈，该RF线圈支撑结构配置成使多个RF线圈能够被定位成负重叠配置并且被重新定位至重叠配置。本文还描述了医学成像系统和制造RF线圈阵列的方法。
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