公开(公告)号：CN100481520C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510082507.7

申请日：2005-07-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·L·斯皮瓦克 ,  S·V·加萨维 ,  O·P·西克洛万

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2004 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明涉及钝化的、染料敏化的氧化物半导体电极和使用其的太阳能电池。具体而言，披露一种染料敏化的氧化物半导体电极，其包括导电底层、在所述的导电底层表面上配备的氧化物半导体薄膜、以及吸附于所述薄膜上的敏化染料，其中氧化物半导体薄膜用至少一种包含部分结构R1-Si-OR2，其中R1和R2各自独立为烷基、或者R1为烷基且R2为氢或芳基的硅烷化剂，进一步处理过。也披露包含所述电极的太阳能电池和一种提高太阳能电池效率的方法。与没有钝化电极的类似电池相比较，本发明的太阳能电池显示出提高的效率和其他的优越性能。

公开(公告)号：CN1719618A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510082507.7

申请日：2005-07-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·L·斯皮瓦克 ,  S·V·加萨维 ,  O·P·西克洛万

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2004 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542

Abstract: 披露一种染料敏化的氧化物半导体电极，其包括导电底层、在所述的导电底层表面上配备的氧化物半导体薄膜、以及吸附于所述薄膜上的敏化染料，其中氧化物半导体薄膜用至少一种包含部分结构R1－Si－R2，其中R1和R2各自独立为烷基、或者R1为烷基且R2为氢或芳基的硅烷化剂，进一步处理过。也披露包含所述电极的太阳能电池和一种提高太阳能电池效率的方法。与没有钝化电极的类似电池相比较，本发明的太阳能电池显示出提高的效率和其他的优越性能。