公开(公告)号：CN102522502A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210005728.4

申请日：2012-01-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  毛伟 ,  何寒冰 ,  郝跃

IPC: H01L47/02

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n+GaN欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN欧姆接触层，其特征在于：电子发射层采用In组份为14％～22％的InAlN材料，厚度为80～200nm；SiC衬底上刻蚀有通孔(1)，衬底的底部淀积有金属Ti/Al/Ni/Au，该金属通过通孔与环形电极(5)相连，形成纵向器件结构。本发明能够消除压电极化效应并显著地降低界面位错以及“死区”长度，具有输出功率和工作频率高的优点，适用于太赫兹频段工作。

公开(公告)号：CN102522502B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210005728.4

申请日：2012-01-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  毛伟 ,  何寒冰 ,  郝跃

IPC: H01L47/02

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决了现有耿氏器件结构输出功率低、散热不佳等问题。该二极管从下到上分别为SiC衬底、AlN成核层、n+GaN欧姆接触层、电子发射层、n-GaN有源层和n+GaN欧姆接触层，其特征在于：电子发射层采用In组份为14％～22％的InAlN材料，厚度为80～200nm；SiC衬底上刻蚀有通孔(1)，衬底的底部淀积有金属Ti/Al/Ni/Au，该金属通过通孔与环形电极(5)相连，形成纵向器件结构。本发明能够消除压电极化效应并显著地降低界面位错以及“死区”长度，具有输出功率和工作频率高的优点，适用于太赫兹频段工作。