公开(公告)号：CN103922749A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410108149.1

申请日：2014-03-21

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王红洁 ,  樊磊 ,  史忠旗 ,  王继平 ,  夏鸿雁

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时，因大量烧结助剂的加入，而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题；该方法包括：采用氮化硅粉为原料，以高温具有强烈挥发性的金属氧化物Li2O，配合少量的稀土氧化物作为烧结助剂，在氮气氛下无压烧结，烧结温度为1600℃，并利用高温Li离子及含Li液相的挥发，在1500℃的真空热处理或1800℃高温热处理中将Li离子和含Li液相去除；本发明可以制备出气孔率介于50-60%之间，抗弯强度为65-150MPa，其中Li含量低于0.03%,稀土离子含量低于0.3%的低金属离子残留的高性能多孔氮化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN103922749B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410108149.1

申请日：2014-03-21

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王红洁 ,  樊磊 ,  史忠旗 ,  王继平 ,  夏鸿雁

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时，因大量烧结助剂的加入，而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题；该方法包括：采用氮化硅粉为原料，以高温具有强烈挥发性的金属氧化物Li2O，配合少量的稀土氧化物作为烧结助剂，在氮气氛下无压烧结，烧结温度为1600℃，并利用高温Li离子及含Li液相的挥发，在1500℃的真空热处理或1800℃高温热处理中将Li离子和含Li液相去除；本发明可以制备出气孔率介于50-60%之间，抗弯强度为65-150MPa，其中Li含量低于0.03%,稀土离子含量低于0.3%的低金属离子残留的高性能多孔氮化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN103288456A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310185303.0

申请日：2013-05-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王红洁 ,  樊磊 ,  周萌 ,  王超 ,  史忠旗 ,  杨建锋

IPC: C04B35/597 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种无金属离子添加的高纯硅氮氧陶瓷的低温制备方法，解决现有技术制备硅氮氧（Si2N2O）陶瓷材料时，因需要加入金属氧化物烧结助剂，而在晶界相中引入金属离子导致材料高温性能及介电性能下降等问题。该方法包括：直接以非晶氮化硅粉为原料制备Si2N2O；原料经过预氧化处理，使非晶氮化硅粉体表面氧化并达到一定的氧含量；然后，装入石墨模具中，在小于12Pa的真空条件下，在可加压的烧结设备内加压快速烧结，升温速率为50-200°C/分钟，烧结温度为1400-1600°C、烧结时间为5-120分钟。该方法制备的硅氮氧（Si2N2O）陶瓷材料纯度高，制备温度相对较低，无需添加金属氧化物烧结助剂，因此晶间相中无金属离子残留，具有优异的高温性能和低的介电常数。