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公开(公告)号：CN111952448B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010806609.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。该薄膜可应用于相变存储器及类脑计算芯片领域。
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公开(公告)号：CN110554061A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910773306.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高通量预筛选相变异质结材料的方法，包括：选择能够进行微观结构表征的衬底制备的相变材料薄膜或异质结构薄膜；采用聚焦离子束及进行透射电镜样品制备，采用等离子清洗技术对制备的样品进行表面预处理；将预处理电镜样品置于透射电镜中，并在电镜样品中寻找表面平整、正晶带轴向的区域；针对相变材料薄膜和异质结构薄膜，在电镜中设置电子束的辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的微观结构，通过观察材料的结构演变筛选所需的相变材料及异质结构插层材料。本发明结合了常规的透射电子显微样品制备和结构分析方法预筛选相变异质结材料，简便易操作，具有高效率、低成本的特点。
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公开(公告)号：CN111952448A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010806609.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。该薄膜可应用于相变存储器及类脑计算芯片领域。
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公开(公告)号：CN110554061B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910773306.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高通量预筛选相变异质结材料的方法，包括：选择能够进行微观结构表征的衬底制备的相变材料薄膜或异质结构薄膜；采用聚焦离子束及进行透射电镜样品制备，采用等离子清洗技术对制备的样品进行表面预处理；将预处理电镜样品置于透射电镜中，并在电镜样品中寻找表面平整、正晶带轴向的区域；针对相变材料薄膜和异质结构薄膜，在电镜中设置电子束的辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的微观结构，通过观察材料的结构演变筛选所需的相变材料及异质结构插层材料。本发明结合了常规的透射电子显微样品制备和结构分析方法预筛选相变异质结材料，简便易操作，具有高效率、低成本的特点。
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