公开(公告)号：CN118670281A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202411046709.5

申请日：2024-08-01

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 崔雅静 ,  许一清 ,  魏斌 ,  周贤永 ,  刘屿剑 ,  陆旺 ,  余然 ,  李文广 ,  常相辉

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明涉及晶片厚度测量领域，提供了基于磁致伸缩效应的压电晶片厚度测量装置及测量方法，该装置包括底座，顶面设立柱以及立板；安装架，通过线性模组滑动安装在立柱上；直管，与安装架连接，直管的内部设支架；安装杆，与支架连接；磁致伸缩材料制成的伸缩体，伸缩体设在安装杆的底端；下压块，通过连接杆连接在伸缩体的底端；感应部，安装于下压块；线圈，缠绕在直管上，线圈与直流电源电连接；放置压电晶片的载台，载台安装在底座上；由尺身以及读数头组成的光栅尺，尺身安装在立板上，读数头通过连接板与下压块相连；显示屏，安装在底座的顶面上；控制器，与直流电源、感应部、线圈、线性模组、读数头以及显示屏均电连接。