一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法

    公开(公告)号:CN116429859A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310374889.9

    申请日:2023-04-10

    摘要: 本发明涉及一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法,传感器系统包括用于沉积敏感材料的基底、用于检测电学变化的检测电极以及用于提供支撑的绝缘层,敏感材料沉积至基底以在基底上定义至少两个沉积区域,其中,沉积至检测电极与绝缘层的部分形成牺牲区域以降低多组分气体检测中的干扰,牺牲区域和检测区域基于至少包括温度和反应位点数目的不同吸附能力参数差异以对其相应气体进行选择性吸附;系统的制造方法,包括以下步骤:形成基片,基片配置有用于检测的检测电极、沉积敏感材料的基底和用于支撑的绝缘层,在基片上形成感测层,敏感材料沉积至基底形成感测层的过程中以在基底上定义至少两个沉积区域。

    一种基于单通多孔基底的半导体气体传感器

    公开(公告)号:CN116380994A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310383610.3

    申请日:2023-04-10

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明涉及一种基于单通多孔基底的半导体气体传感器,其至少包括传感层,由于基于沉积的气敏材料对气体进行检测。传感层能够划分为对目标检测气体基于第一温度下的感测反应进行检测的功能区和用于将除目标检测气体外的至少部分杂质气体基于小于第一温度下的感测反应进行过滤的非功能区,功能区和非功能区通过若干悬架连接,其中,悬架能够通过热传导的方式将功能区上的热量传导至非功能区。本发明通过在传统传感区域外设计能够减少杂质气体的非功能区,减少了检测过程中杂质气体对检测结果的影响,提高了传感器的检测灵敏度与准确性。

    一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器

    公开(公告)号:CN116718643A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310374892.0

    申请日:2023-04-10

    IPC分类号: G01N27/12 B82Y30/00 B82Y15/00

    摘要: 本发明涉及一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器,其至少包括:第一电极,在通电的状态下用于传导感测反应时的电学变化;第二电极,用于配合第一电极形成电流通路;传感层,由表面沉积有用于检测气体的气敏材料的双通多孔基底组成,双通多孔基底由多个纳米管阵列形成。第一电极和第二电极按照第三方向上交叉不叠加的方式分别交错设置在传感层两侧,使得传感层上的纳米管至少一个管口能够与外部保持联通。本发明对感测电极进行改进,避免了由于感测电极布置时会覆盖纳米孔导致部分纳米孔无法进行气体检测的现象,提高了半导体气体传感器的检测效率。