公开(公告)号：CN1614799A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410098135.2

申请日：2004-11-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  高田智雄 ,  川瀨贤一 ,  宫木幸夫

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/66 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/66 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0431 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12944

Abstract: 本发明提供一种能够缓和因随着充放电阳极活性材料层的膨胀和收缩引起的应力的阳极、或能降低随着充放电的阳极活性材料层的结构性损坏和阳极活性材料层与电解质间的反应性的阳极，及使用阳极的电池。阳极活性材料层含能够与锂形成合金化的元素，例如，选自Si或Ge的单体、合金和化合物中的至少一种。在阳极集电器和阳极活性材料层之间配置具有超弹性或形状记忆效应材料的中间层。此外，阳极集电器由有 超弹性或形状记忆效应的材料制成。此外，在阳极活性材料层上形成含超弹性或形状记忆效应材料的薄膜层。