公开(公告)号：CN101452172A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810178938.7

申请日：2008-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 嶋田佑介 ,  金谷康弘 ,  中嶋大贵 ,  八木圭一

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了显示装置和电子设备。该显示装置包括：具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。

公开(公告)号：CN101452172B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200810178938.7

申请日：2008-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 嶋田佑介 ,  金谷康弘 ,  中嶋大贵 ,  八木圭一

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了显示装置和电子设备。该显示装置包括：具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。