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发明公开
光检测装置和测距系统审中-公开

公开(公告)号：CN119547581A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380053168.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 松村勇佑 , 中田达也 , 大西航

IPC: H10F39/18 , G01S7/481 , G01S17/894 , H10F30/225

Abstract: 根据本公开的实施方案的光检测装置包括：具有能够接收光并输出电流的光接收元件的第一半导体层；设置在所述第一半导体层中的沟槽，以包围所述光接收元件；设置在所述沟槽中并且由金属材料制成的遮光膜；和设置在所述第一半导体层的第一表面侧的第一配线。所述光接收元件包括设置在所述第一半导体层的所述第一表面侧的第一导电型的第一半导体区域和第二导电型的第二半导体区域。所述第一配线由多晶硅或非晶硅制成，并且电连接所述第一半导体区域和所述遮光膜。

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