波长转换元件及其制造方法、光源装置、投影仪

    公开(公告)号:CN113391510A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110259079.X

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 提供波长转换元件及其制造方法、光源装置、投影仪,能够抑制波长转换层与第一基板的剥离。波长转换元件具有:波长转换层,将第一波段的光转换为第二波段的光;第一基板;第二基板;第一中间层,设置于波长转换层与第一基板之间;第二中间层,设置于波长转换层和第一基板中的任意一方与第二基板之间,第一基板的线膨胀系数小于波长转换层的线膨胀系数,波长转换层的线膨胀系数小于第二基板的线膨胀系数,第一基板的线膨胀系数小于第二基板的线膨胀系数,第一基板的热传导率大于波长转换层的热传导率,第二基板的热传导率大于波长转换层的热传导率,第一中间层厚度小于波长转换层厚度,第一中间层厚度小于第一基板的厚度且小于第二中间层的厚度。

    光源装置和投影仪
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118567171A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410206947.1

    申请日:2024-02-26

    Inventor: 户田壮马

    Abstract: 提供光源装置和投影仪,能够提高光利用效率。光源装置具备:射出第1光束的第1光源部;射出第2光束的第2光源部;合成第1光束与第2光束的合成元件;将第1光束与第2光束的光束宽度之差调整得较小的光束宽度调整元件;第1会聚光学系统;从第1会聚光学系统射出的光入射的第1扩散元件。光束宽度调整元件具备有限的焦距,经由光束宽度调整元件、合成元件及第1会聚光学系统的第1光束会聚于第1会聚位置,经由合成元件及第1会聚光学系统的第2光束会聚于第2会聚位置。光束宽度调整元件及第1会聚光学系统使第1光会聚以使第1光束形成于第1扩散元件的第1光源像与第2光束形成于第1扩散元件的第2光源像的纵横比和尺寸彼此接近。

    光源装置和投影仪
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119882337A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411467727.0

    申请日:2024-10-21

    Inventor: 户田壮马

    Abstract: 提供光源装置和投影仪,小型且生成白色照明光。光源装置具备:第1光源,射出第1光;光分离光学系统,将第1光分离成平行的第1光束和第2光束;光学部件,使从光分离光学系统入射的第1光束和第2光束通过;聚光光学系统,对透过了光学部件的第1光束和第2光束分别聚光;光散射元件,使从聚光光学系统射出的第1光束和第2光束分别入射到不同位置,光散射元件具有:基板,具有反射光的反射面;第1波长转换层,配置于反射面,将由聚光光学系统入射的第2光束转换为波段与第1光不同的第2光;光散射层,配置于第1波长转换层的沿反射面的第1方向,使由聚光光学系统入射的第1光束散射,光学部件反射从光散射元件射出并经由聚光光学系统的光。

    波长转换元件及其制造方法、光源装置、投影仪

    公开(公告)号:CN113391510B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202110259079.X

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 提供波长转换元件及其制造方法、光源装置、投影仪,能够抑制波长转换层与第一基板的剥离。波长转换元件具有:波长转换层,将第一波段的光转换为第二波段的光;第一基板;第二基板;第一中间层,设置于波长转换层与第一基板之间;第二中间层,设置于波长转换层和第一基板中的任意一方与第二基板之间,第一基板的线膨胀系数小于波长转换层的线膨胀系数,波长转换层的线膨胀系数小于第二基板的线膨胀系数,第一基板的线膨胀系数小于第二基板的线膨胀系数,第一基板的热传导率大于波长转换层的热传导率,第二基板的热传导率大于波长转换层的热传导率,第一中间层厚度小于波长转换层厚度,第一中间层厚度小于第一基板的厚度且小于第二中间层的厚度。

    荧光体元件、波长转换装置、照明装置和投影仪

    公开(公告)号:CN118672041A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410283768.8

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 荧光体元件、波长转换装置、照明装置以及投影仪。荧光体元件具备:荧光体相,其由具有石榴石结构的A3B5O12:Ce构成;以及基体相,其具有比荧光体相的折射率高的折射率。按照相对于包含基体相和荧光体相的整体的体积比,荧光体相的含量为56vol%以上且70vol%以下。其中,A为从由Lu、Gd、Tb、Ga和Y构成的组中选择的至少一种。B为Al。

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