公开(公告)号：CN101661997B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200910163376.3

申请日：2009-08-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小林英和 ,  白鸟幸也 ,  吉冈敦

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明涉及发光装置及电子设备、发光装置的制造方法，以便得到兼具高导电性和高透过性的阴极和具备该阴极的发光装置。该发光装置(D1)具备：基板、形成在基板(10)上的光反射层(14)、形成在光反射层(14)上的第1电极(16)、形成在第1电极(16)上的发光功能层(18)、形成在发光功能层(18)上的电子注入层(49)、和形成在电子注入层(49)上并具有半透过反射性的第2电极(20)，第2电极(20)由Ag合金形成，其Ag的含有量为Ag比率在50原子％以上98原子％以下。

公开(公告)号：CN101661997A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910163376.3

申请日：2009-08-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小林英和 ,  白鸟幸也 ,  吉冈敦

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明涉及发光装置及电子设备、发光装置的制造方法，以便得到兼具高导电性和高透过性的阴极和具备该阴极的发光装置。该发光装置(D1)具备：基板、形成在基板(10)上的光反射层(14)、形成在光反射层(14)上的第1电极(16)、形成在第1电极(16)上的发光功能层(18)、形成在发光功能层(18)上的电子注入层(49)、和形成在电子注入层(49)上并具有半透过反射性的第2电极(20)，第2电极(20)由Ag合金形成，其Ag的含有量为Ag比率在50原子％以上98原子％以下。