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公开(公告)号：CN104584232B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380042594.6
申请日：2013-07-29
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供硅基板的纹理形成用蚀刻液及蚀刻方法，所述蚀刻液可以稳定地在基板表面均匀地形成良好的纹理，在通常的使用温度即60℃～95℃的区域中添加剂成分也不会挥发，适用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。使用一种蚀刻液，其含有：(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。
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公开(公告)号：CN104584232A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380042594.6
申请日：2013-07-29
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供硅基板的纹理形成用蚀刻液及蚀刻方法，所述蚀刻液可以稳定地在基板表面均匀地形成良好的纹理，在通常的使用温度即60℃～95℃的区域中添加剂成分也不会挥发，适用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。使用一种蚀刻液，其含有：(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。
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公开(公告)号：CN109153154B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780029731.0
申请日：2017-04-26
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: B29C33/62
Abstract: 提供一种脱模性和清洗性优异的硫化橡胶成形用脱模剂。本实施方式涉及的硫化橡胶成形用脱模剂含有胺化合物的环氧烷加成物(A)，所述胺化合物在分子内有4～8个活性氢原子，所述胺化合物的环氧烷加成物(A)的数均分子量为5000～30000，并且，含有50～95质量％的氧亚乙基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109153153B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201780029667.6
申请日：2017-04-26
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: B29C33/62
Abstract: 提供一种脱模性和清洗性优异的硫化橡胶成形用脱模剂。本实施方式涉及的硫化橡胶成形用脱模剂含有含活性氢基团的化合物的环氧烷加成物(A)，所述含活性氢基团的化合物在分子内有4个活性氢原子，所述含活性氢基团的化合物的环氧烷加成物(A)的数均分子量为5000～30000，并且，含有50～95质量％的氧亚乙基。
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公开(公告)号：CN111278619A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880070854.3
申请日：2018-10-22
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: B29C33/62
Abstract: 本发明提供脱模性和清洗性优异的硫化橡胶成形用脱模剂。本实施方式涉及的硫化橡胶成形用脱模剂含有：胺化合物的环氧烷加成物(A)，对分子内具有4～8个活性氢原子的胺化合物加成环氧烷而成；以及表面活性剂(B)。
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公开(公告)号：CN109153154A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029731.0
申请日：2017-04-26
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: B29C33/62
Abstract: 提供一种脱模性和清洗性优异的硫化橡胶成形用脱模剂。本实施方式涉及的硫化橡胶成形用脱模剂含有胺化合物的环氧烷加成物(A)，所述胺化合物在分子内有4～8个活性氢原子，所述胺化合物的环氧烷加成物(A)的数均分子量为5000～30000，并且，含有50～95质量％的氧亚乙基。
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公开(公告)号：CN109153153A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029667.6
申请日：2017-04-26
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: B29C33/62
Abstract: 提供一种脱模性和清洗性优异的硫化橡胶成形用脱模剂。本实施方式涉及的硫化橡胶成形用脱模剂含有含活性氢基团的化合物的环氧烷加成物(A)，所述含活性氢基团的化合物在分子内有4个活性氢原子，所述含活性氢基团的化合物的环氧烷加成物(A)的数均分子量为5000～30000，并且，含有50～95质量％的氧亚乙基。
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公开(公告)号：CN104094411A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380008345.5
申请日：2013-02-06
Applicant: 第一工业制药株式会社
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: C09K13/02 , C09K13/04 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 在本发明中，通过使用蚀刻液能够在晶片表面上均匀地形成稳定的良好纹理，该蚀刻液包含一水溶液，该水溶液含有(A)碱性组分和(B)膦酸衍生物或其盐。本发明提供一种用于在硅晶片上形成纹理的蚀刻液，该蚀刻液适用于利用松散磨粒系统的晶片切割的晶片和利用固定磨粒系统切割的晶片，并且在60℃至95℃的加工温度范围内添加剂组分不蒸发。
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