公开(公告)号：CN113533139A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110720190.4

申请日：2021-06-28

Applicant: 福建农林大学

Inventor： 吴淑一 ,  黄伟财 ,  邱仁辉 ,  刘淑雅 ,  林宇超 ,  陈泽宇 ,  林盛涛 ,  刘文地

IPC: G01N13/00

Abstract: 本发明公开了一种长时稳定的聚合物修饰表面的制备方法，通过在基底表面上熏蒸一层分子层之后再涂覆聚合物的方法，利用分子层分别与基底和聚合物涂层之间的范德华作用力，显著提高极性相差较大的聚合物涂层和基底之间的结合力，实现聚合物涂层在基底上的长时稳定。本发明与现有技术相比，具有设备简单，操作简易，通用性强，薄膜厚度均匀，成膜速度快，聚合物薄膜长时间稳定等优点。该发明对DNA等纳米材料的操控和表征、微纳米器件加工、表面亲疏水改性修饰等领域具有重要意义。

公开(公告)号：CN113617402A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110777691.6

申请日：2021-07-07

Applicant: 福建农林大学

Inventor： 吴淑一 ,  刘淑雅 ,  邱仁辉 ,  黄伟财 ,  林宇超 ,  陈泽宇 ,  林盛涛 ,  刘文地

IPC: B01L3/00

Abstract: 本发明公开了产生剪切和拉伸组合流场的微流芯片、装置及其应用方法，微流芯片包括芯片主体，芯片主体内设置有延伸至芯片主体两端的微流沟道，微流沟道的两端之间设置有缩口结构的收缩通道和若干横隔板，若干横隔板之间形成间隙且该间隙用于形成剪切流为主导的流场，收缩通道用于形成拉伸流为主导的流场；本发明可被用于高分子拉伸和打断，当用于高分子拉伸时，具有直线状高分子占比高、高分子拉伸率高等优点；当用于高分子打断时，具有样品用量少、片段长度可控且分布均匀、打断步骤可与其他样品处理和分析步骤集成到一体化装置中等优点；当用于DNA分子打断时，还具有DNA单链损伤较少、DNA断裂端为平末端、断裂位点随机等优点。

公开(公告)号：CN113533139B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202110720190.4

申请日：2021-06-28

Applicant: 福建农林大学

Inventor： 吴淑一 ,  黄伟财 ,  邱仁辉 ,  刘淑雅 ,  林宇超 ,  陈泽宇 ,  林盛涛 ,  刘文地

IPC: G01N13/00

Abstract: 本发明公开了一种长时稳定的聚合物修饰表面的制备方法，通过在基底表面上熏蒸一层分子层之后再涂覆聚合物的方法，利用分子层分别与基底和聚合物涂层之间的范德华作用力，显著提高极性相差较大的聚合物涂层和基底之间的结合力，实现聚合物涂层在基底上的长时稳定。本发明与现有技术相比，具有设备简单，操作简易，通用性强，薄膜厚度均匀，成膜速度快，聚合物薄膜长时间稳定等优点。该发明对DNA等纳米材料的操控和表征、微纳米器件加工、表面亲疏水改性修饰等领域具有重要意义。