-
公开(公告)号：CN115151845B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202180015948.2
申请日：2021-02-12
Applicant: 电化株式会社
IPC: G02B5/20 , C01B21/072 , H01L33/50
Abstract: 本发明的荧光体板(100)是具有板状的复合体的荧光体板，该板状的复合体包含母材和母材中含有的荧光体，母材包含尖晶石，荧光体包含具有Si元素的荧光体，在使用Cu－Kα射线的荧光体板的X射线衍射图案中，以如下方式构成：在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的与上述尖晶石对应的峰强度设为1时，衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
-
公开(公告)号：CN115151845A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180015948.2
申请日：2021-02-12
Applicant: 电化株式会社
IPC: G02B5/20 , C01B21/072 , H01L33/50
Abstract: 本发明的荧光体板(100)是具有板状的复合体的荧光体板，该板状的复合体包含母材和母材中含有的荧光体，母材包含尖晶石，荧光体包含具有Si元素的荧光体，在使用Cu－Kα射线的荧光体板的X射线衍射图案中，以如下方式构成：在将衍射角2θ为36.0°～37.4°的范围内的与上述尖晶石对应的峰强度设为1时，衍射角2θ为32.5°～34.5°的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
-
公开(公告)号：CN114599764B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202080073690.7
申请日：2020-10-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 一种荧光体板，由复合体构成，该复合体包含α型赛隆荧光体、以及含有以通式M2xAl4‑4xO6‑4x(M为Mg、Mn、Zn中的至少任一者，0.2＜x＜0.6)表示的尖晶石的烧结体。此外，一种发光装置，其具备：第III族氮化物半导体发光元件、和设置于该第III族氮化物半导体发光元件的一面上的上述荧光体板。另外，上述荧光体板的制造方法。
-
公开(公告)号：CN114599764A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080073690.7
申请日：2020-10-07
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 一种荧光体板，由复合体构成，该复合体包含α型赛隆荧光体、以及含有以通式M2xAl4‑4xO6‑4x(M为Mg、Mn、Zn中的至少任一者，0.2＜x＜0.6)表示的尖晶石的烧结体。此外，一种发光装置，其具备：第III族氮化物半导体发光元件、和设置于该第III族氮化物半导体发光元件的一面上的上述荧光体板。另外，上述荧光体板的制造方法。
-
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN114026201A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080045203.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的荧光体板具备包含母材和分散于母材中的荧光体的板状的复合体，母材的主成分为氧化铝，荧光体包含α型塞隆荧光体，在依据JISZ 8781－4测定时的L*a*b*色度坐标中，满足L*值为73.5～85.0，a*值为4.4～8.0，b*值为10.8～13.0。
-
-
公开(公告)号：CN119907934A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067235.X
申请日：2023-09-21
Applicant: 电化株式会社
IPC: G02B5/20 , G02B5/28 , H10H20/851 , H10H20/856
Abstract: 本发明的波长转换部件具备：荧光体板，其包含无机母材及分散于所述无机母材的荧光体，以及，反射多层膜，其形成于荧光体板的一面侧的表面且为折射率不同的多个无机膜层叠而成的；该波长转换部件构成为：依据JIS Z 8781‑4进行了测定时，形成于荧光体板的所述一面的反射多层膜的表面的L*a*b*色度坐标中，a*值满足‑20以上且0以下和/或b*值满足20以上且60以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.016 seconds)
