公开(公告)号：CN112470228B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201980047800.X

申请日：2019-07-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 基斯·E·卡威尔

IPC: G11C29/08 ,  G11C29/50 ,  G11C29/02

Abstract: 本发明公开一种脉冲干扰监测系统及离子植入机。脉冲干扰监测系统容许从一个或多个通道俘获电压及电流数据。另外，还可俘获在脉冲干扰之前出现的电压及电流数据以供进一步分析。数据量可为数千或数百万个字节。另外，可对脉冲干扰的包括上阈值、下阈值及持续时间在内的说明进行编程。这容许在需要时忽略电压或电流的虚假扰动。此外，在需要时，可在存储在存储器中之前对电压及电流数据进行滤波。此数据稍后可由主控制器重试并被分析，以确定脉冲干扰的潜在原因及潜在的补救动作。

公开(公告)号：CN112470228A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980047800.X

申请日：2019-07-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 基斯·E·卡威尔

IPC: G11C29/08 ,  G11C29/50 ,  G11C29/02

Abstract: 本发明公开一种脉冲干扰监测系统。脉冲干扰监测系统容许从一个或多个通道俘获电压及电流数据。另外，还可俘获在脉冲干扰之前出现的电压及电流数据以供进一步分析。数据量可为数千或数百万个字节。另外，可对脉冲干扰的包括上阈值、下阈值及持续时间在内的说明进行编程。这容许在需要时忽略电压或电流的虚假扰动。此外，在需要时，可在存储在存储器中之前对电压及电流数据进行滤波。此数据稍后可由主控制器重试并被分析，以确定脉冲干扰的潜在原因及潜在的补救动作。