公开(公告)号：CN107835003B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201710696190.9

申请日：2017-08-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  黑岩洋 ,  户田铁 ,  中原宁

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687 ,  H02H1/00 ,  H02P29/024 ,  H02P29/028 ,  H02P29/032 ,  H02H7/16

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和功率控制器件，以实现包括驱动器IC即半导体器件的系统中的部件数量减少。向电源施加区施加高电位侧电源电压。高侧区由包括驱动高侧晶体管的驱动器并且以浮置电压作为参考在启动电源电压下操作的电路形成。低侧区由以低电位侧电源电压作为参考在电源电压下操作的电路形成。第一端接区设置成包围所述电源施加区的环形式。第二端接区设置成包围所述高侧区的环形式。

公开(公告)号：CN107835003A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710696190.9

申请日：2017-08-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  黑岩洋 ,  户田铁 ,  中原宁

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687 ,  H02H1/00 ,  H02P29/024 ,  H02P29/028 ,  H02P29/032 ,  H02H7/16

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和功率控制器件，以实现包括驱动器IC即半导体器件的系统中的部件数量减少。向电源施加区施加高电位侧电源电压。高侧区由包括驱动高侧晶体管的驱动器并且以浮置电压作为参考在启动电源电压下操作的电路形成。低侧区由以低电位侧电源电压作为参考在电源电压下操作的电路形成。第一端接区设置成包围所述电源施加区的环形式。第二端接区设置成包围所述高侧区的环形式。