公开(公告)号：CN103035650B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210369919.9

申请日：2012-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 细田直宏 ,  冈田大介 ,  片山弘造

IPC: H01L27/11521

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能够提高半导体装置的特性。半导体装置包括：绝缘膜（3），在控制栅电极（CG）与半导体基板之间形成；绝缘膜（5），在存储器栅电极（MG）与半导体基板之间以及控制栅电极（CG）与存储器栅电极（MG）之间形成且在其内部具有电荷储存部。绝缘膜（5）具有第1膜（5A）、成为在第1膜（5A）上配置的电荷储存部的第2膜（5N）、在第2膜（5N）上配置的第3膜（5B），第3膜（5B）具有位于控制栅电极（CG）与存储器栅电极（MG）之间的井壁膜（5s）、位于存储器栅电极（MG）与半导体基板之间的沉积膜（5d）。根据该结构，能够加大绝缘膜（5）的角部的距离（D1），能够缓冲电场集中。

公开(公告)号：CN103035650A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210369919.9

申请日：2012-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 细田直宏 ,  冈田大介 ,  片山弘造

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能够提高半导体装置的特性。半导体装置包括：绝缘膜（3），在控制栅电极（CG）与半导体基板之间形成；绝缘膜（5），在存储器栅电极（MG）与半导体基板之间以及控制栅电极（CG）与存储器栅电极（MG）之间形成且在其内部具有电荷储存部。绝缘膜（5）具有第1膜（5A）、成为在第1膜（5A）上配置的电荷储存部的第2膜（5N）、在第2膜（5N）上配置的第3膜（5B），第3膜（5B）具有位于控制栅电极（CG）与存储器栅电极（MG）之间的井壁膜（5s）、位于存储器栅电极（MG）与半导体基板之间的沉积膜（5d）。根据该结构，能够加大绝缘膜（5）的角部的距离（D1），能够缓冲电场集中。