公开(公告)号：CN105470252B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201510626195.5

申请日：2015-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 荒川政司 ,  福井正 ,  高柳浩二

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: 提供一种半导体器件，使得可以促进面积减小同时维持ESD电阻。所述半导体器件包括电力线、接地线和设置在所述电力线和所述接地线之间以处理静电放电的保护电路。所述保护电路包括第一晶体管、第一电阻性元件、第二晶体管、第一电容性元件、第一反相器和第一保护晶体管。所述第二晶体管的栅极宽度比所述第一晶体管的栅极宽度更窄。

公开(公告)号：CN105470252A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510626195.5

申请日：2015-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 荒川政司 ,  福井正 ,  高柳浩二

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: 提供一种半导体器件，使得可以促进面积减小同时维持ESD电阻。所述半导体器件包括电力线、接地线和设置在所述电力线和所述接地线之间以处理静电放电的保护电路。所述保护电路包括第一晶体管、第一电阻性元件、第二晶体管、第一电容性元件、第一反相器和第一保护晶体管。所述第二晶体管的栅极宽度比所述第一晶体管的栅极宽度更窄。