公开(公告)号：CN115483167A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210577668.7

申请日：2022-05-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 永富弘树 ,  田中诚

IPC: H01L23/34 ,  G01K13/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一晶体管，使电流流向负载；电流生成电路，输出与第一晶体管的功率消耗相对应的电流；温度传感器；电阻电容网络，耦合在电流生成电路和温度传感器之间；以及过热检测电路，耦合到电流生成电路与电阻电容网络的连接点，其中电阻电容网络包括与第一晶体管和温度传感器之间的热阻和热容相对应的电阻器和电容器。

公开(公告)号：CN116893015A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310087169.4

申请日：2023-02-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 永富弘树 ,  田中诚

IPC: G01K13/00 ,  G01K7/00 ,  G01K7/16 ,  G01K7/34 ,  G01R31/26

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一晶体管，负载电流通过第一晶体管流向外部负载；电流生成电路，当负载电流流过过热检测目标时，该电流生成电路输出与过热检测目标中产生的功率损耗相对应的电流；电阻器‑电容器网络，其包括与过热检测目标的热电阻和热电容对应的电阻器和电容器，并且耦合到电流生成电路的一端；过热检测电路，耦合到所述电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点；以及电压源，其将电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点的电压设置为预定电压。