公开(公告)号：CN103686867A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310404400.4

申请日：2013-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 肱冈健一郎 ,  山口晃一 ,  松平将治

IPC: H04W28/16 ,  H04B5/00 ,  H04J4/00

CPC classification number: H04B5/0012 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0037 ,  H04B5/0093

Abstract: 本发明涉及无线通信系统和无线通信装置。第一通信设备包含第一耦合元件并且第二通信设备包含第二耦合元件。该第一通信设备和第二通信设备被配置成在所述第一通信设备和第二通信设备之间，通过在所述第一耦合元件和第二耦合元件之间的非接触耦合，同时传输差模信号和共模信号。

公开(公告)号：CN107260125A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710225118.8

申请日：2017-04-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松平将治 ,  长谷卓 ,  田辺昭 ,  上嶋和也

IPC: A61B5/00

CPC classification number: A61B5/7285 ,  A61B5/0002 ,  A61B5/002 ,  A61B5/01 ,  A61B5/021 ,  A61B5/1118 ,  A61B5/742 ,  A61B2560/0209 ,  A61B2560/0242 ,  A61B2560/0252 ,  A61B2560/0431 ,  A61B2560/0475 ,  A61B2562/029 ,  A61B5/00

Abstract: 本申请涉及传感器系统。为了根据能够影响待测对象的外部指标的变化来适当地设置用于测量待测对象的传感器的测量条件，传感器系统包括：第一传感器和第二传感器；确定单元，当第一传感器的测量结果满足预定条件时，输出检测信号；测量条件存储单元，用于存储第二传感器的测量条件；以及控制单元，用于当接收到检测信号时与根据测量条件的测量分开地执行通过第二传感器的测量，并且基于所执行的测量的结果来更新存储在测量条件存储单元中的第二传感器的测量条件。

公开(公告)号：CN103022037B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210363802.X

申请日：2012-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松平将治 ,  寺井真之

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/91 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法、半导体器件。在将DRAM和ReRAM安装在一起的情况下，降低了其制造成本，同时保持了电容元件和可变电阻元件的性能。一种半导体存储器件，包括可变电阻元件和电容元件。该可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM结构，并且设计为可变电阻型存储器。电容元件具有比第一深度深的第二深度的柱型MIM结构，并且设计为DRAM。

公开(公告)号：CN109976426A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811492887.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松平将治 ,  长谷卓 ,  田边昭 ,  上嶋和也

IPC: G05F1/56

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置、传感器终端以及半导体装置控制方法。当在操作状态下温度改变时，需要确保在预定操作频率下的操作。半导体装置包括：被施加有衬底偏压的偏压施加部；用于检测温度的温度传感器；以及用于向偏压施加部施加与由温度传感器检测到的温度相对应的衬底偏压的衬底偏压生成器。偏压施加部在由衬底偏压生成器施加衬底偏压时，偏压施加部在操作状态与停止状态之间变换。衬底偏压生成器向偏压施加部施加被配置成在所述温度传感器检测到的温度的条件下、不使用于偏压施加部的操作频率的上限小于预定值的衬底偏压。

公开(公告)号：CN103022037A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210363802.X

申请日：2012-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松平将治 ,  寺井真之

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/91 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法、半导体器件。在将DRAM和ReRAM安装在一起的情况下，降低了其制造成本，同时保持了电容元件和可变电阻元件的性能。一种半导体存储器件，包括可变电阻元件和电容元件。该可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM结构，并且设计为可变电阻型存储器。电容元件具有比第一深度深的第二深度的柱型MIM结构，并且设计为DRAM。